南京大學在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展
中國氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動招股，并將于2024年12月23日結束招股。
“氮化鎵功率電子器件技術III”的分會上，嘉賓們齊聚，共同探討氮化鎵功率電子器件技術進展與發展趨勢。
武漢金信新材料有限公司（以下簡稱“金信新材料”）芯片用第三代半導體8英寸碳化硅晶錠項目完成研發，通過了行業專家驗證
英偉達、臺積電、海力士、博通、阿斯麥、中芯國際等45家半導體企業2024年第三季度財報匯總
銳芯微電子總部項目、邁為股份年產40條異質結電池整線設備項目、甬矽電子多維異構先進封裝技術研發及產業化項目、江蘇宏瑞興覆銅板生產項目、年產23000噸高端&高純石墨化材料制造項目、路芯半導體掩膜版生產項目迎來新進展。
新浪財經披露的《極越汽車供應商聯合聲明》稱，經不完全統計，極越汽車欠付所有供應商款項近20億元。
美國國防部宣布已于12月13日將中微半導體設備（上海）股份有限公司（Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China，AMEC）和IDG資本（IDG Capital Partners Co., Ltd.）從中國軍事企業清單（CMC清單或1260H清單）中移除。
半導體產業網獲悉：近日，根據破產資訊網披露的《北京世紀金光半導體有限公司管理人公開選聘審計、評估機構的公告》顯示，北京市
據媒體報道，近日，三安光電董事、副總經理林志東在受訪時表示，三安光電正在加快發展第三代化合物半導體產業，今年三安光電砷化
江蘇路芯半導體技術有限公司掩膜版生產項目迎來重要進展——首批工藝設備機臺成功搬入，標志著項目邁入新的階段。
“氮化鎵功率電子器件技術II”分會上，嘉賓們帶來精彩報告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術發展。
日本國立材料研究所廖梅勇團隊證明了利用Ib型單晶金剛石（SCD）襯底表面態和深層缺陷的協同效應，可以實現低工作電壓（<5 V）的超高增益DUV光電探測器（PD）。
中國科學院上海微系統所異質集成XOI團隊和南京電子研究所超寬禁帶半導體研究團隊合作，在金剛石基氧化鎵異質集成材料與器件領域取得突破性進展。
江蘇宏瑞興覆銅板生產項目開工。
此次洽談的惠科Mini-LED背光/直顯模組及整機項目，總投資約70億元
天岳先進成功獲得中知（北京）認證有限公司頒發的基于ISO 56005的《創新與知識產權管理能力》等級證書（3級）。
據先導科技集團官微消息，日前，由先導科技集團旗下先導光電子事業部牽頭的安徽省科技創新攻堅計劃-氮化鎵藍光裝備的全鏈條國產
天岳先進與您共探SEMICON Japan 2024科技之旅！
格力電器董事長董明珠在《珍知酌見》 欄目里與新浪財經CEO鄧慶旭對話時透露，格力電器在芯片研發領域取得重大突破。