半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：2024年12月18日，中國氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動招股，并將于2024年12月23日結束招股。該公司計劃全球發(fā)售4536.4萬H股，其中香港公開發(fā)售占10%，國際配售占90%，另有約15%超額配股權。

保薦人：中金公司、招銀國際

基石投資者：STMicroelectronics、江蘇國有企業(yè)混合所有制改革基金、江蘇蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專項母基金、蘇州東方創(chuàng)聯(lián)投資管理有限公司，合計申購占比52.97%

招股價格：30.86港元-33.66港元

集資額：14.00億港元-15.27億港元

總市值：271.31億港元-295.92億港元

每手股數(shù)：100股

入場費：3399.95港元

招股時間：12月23日截止

上市時間：12月30日

招股總數(shù)：45,364,000股H股

公開發(fā)售：4,536,400股H股（10%）

國際配售：40,827,600股H股

綠鞋：680.46萬股

發(fā)行比例：5.2%

公告顯示，英諾賽科每股發(fā)售價介乎30.86-33.66港元，最高或籌資15.27億港元。每手100股，股份預期定價日為12月24日，預期將于2024年12月30日上市。

英諾賽科基石投資者分別為STHK、江蘇國企混改基金、東方創(chuàng)聯(lián)、蘇州高端裝備，一共認購1億美元，其中，STHK認購5000萬美元，江蘇國企混改基金認購2500萬美元，東方創(chuàng)聯(lián)、蘇州高端裝備分別認購1250萬美元。

根據(jù)戰(zhàn)略，英諾賽科擬將所得款項凈額中，約60%用作擴大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購買及升級生產(chǎn)設備及機器以及招聘生產(chǎn)人員；約20%用于研發(fā)及擴大產(chǎn)品組合，以提高終端市場中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率；約10%用于擴大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡；約10%用于營運資金及其他一般企業(yè)用途。

英諾賽科主要業(yè)務情況：

英諾賽科是一家成立于2015年的高新技術企業(yè)，專注于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力，并且是全球唯一實現(xiàn)量產(chǎn)氮化鎵高、低壓芯片的IDM企業(yè)。按收入計，英諾賽科2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一。

英諾賽科通過IDM模式，能夠對硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的設計、制造及測試的全流程進行自主控制。

IDM模式：即集成器件制造模式，在這種模式下，企業(yè)不僅進行集成電路的設計，還擁有自己的晶圓制造、封裝和測試設施，自行完成芯片的全生命周期，包括從設計到制造的整個過程。IDM模式的主要優(yōu)勢在于設計至制造等環(huán)節(jié)可以協(xié)同優(yōu)化，有助于充分發(fā)掘技術潛力，并且能夠率先試驗并推出新的半導體技術。不過，該種模式對公司的規(guī)模以及管理運營成本方面的要求較高，通常被技術領先的全球性大公司采用，如三星、德州儀器、英特爾等。

據(jù)招股書顯示，IDM模式使英諾賽科能夠先于競爭對手快速了解并解決與產(chǎn)品應用相關的痛點，從而增強先發(fā)優(yōu)勢。據(jù)弗若斯特沙利文資料，IDM模式已成為行業(yè)優(yōu)先選擇的模式，并有望于不久的將來占主導地位。公司設計、開發(fā)及制造的氮化鎵產(chǎn)品適用于廣泛的應用領域（見下圖），包括消費電子（手機充電器、過壓保護芯片等）、可再生能源（LED照明、光伏及儲能系統(tǒng)等）及工業(yè)應用、汽車電子（LiDAR、電池系統(tǒng)）及數(shù)據(jù)中心。

公司的氮化鎵產(chǎn)品有多種不同的產(chǎn)品形態(tài)，遍及產(chǎn)業(yè)價值鏈，包括氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、氮化鎵集成電路及氮化鎵模組（見下圖）。

氮化鎵晶圓：

截至2023年12月31日，公司擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地，產(chǎn)能達到每月1萬片晶圓，晶圓良率超過95%。同時，公司生產(chǎn)的8英寸硅基氮化硅晶圓與6英寸的相比，晶圓晶粒產(chǎn)出數(shù)增至80%，單一器件成本降低30%，并具有高開關頻率、零反向恢復電荷、低柵極電荷及低輸出電荷的特點。

氮化鎵分立器件及氮化鎵集成電路：

公司的產(chǎn)品研發(fā)覆蓋15V至1200V。其中，公司開發(fā)出器件產(chǎn)品雙向氮化鎵芯片V-GaN系列，可應用于消費電子、工業(yè)應用等多個領域。V-GaN系列是公司首創(chuàng)的專利技術，最大的特點是由于可以實現(xiàn)雙向導通，一顆V-GaN芯片能替代兩顆硅MOSFET（金屬氧化物半導體效應晶體管），從而達到節(jié)省空間、降低發(fā)熱的效果。于2023年，公司銷售了164類氮化鎵分立器件，累計出貨量超過5億顆，處于世界前沿。

氮化鎵模組：

英諾賽科能夠提供全鏈路、高效、高頻及高功率密度的集成氮化鎵解決方案。在市場中，公司推出了全系列氮化鎵模組，包括氮化鎵鋰電池化成分容設備電源模組，讓功率密度及運行效率顯著提升。

例如，公司生產(chǎn)的氮化鎵單相微型逆變器應用于光伏領域，可直接將單個面板的直流電轉換為交流電。采用氮化鎵的單相微型逆變器可以將傳統(tǒng)的單相微型逆變器頻率提升一倍或兩倍，同時將系統(tǒng)損耗降低約30%，從而能夠相容于更高容量的太陽能電池板。此外，該種單相微型逆變器亦將微型逆變器的尺寸減少約30%，并將成本減少約20%。截至2023年12月31日，公司的研發(fā)工作已累計獲得213項專利，其中包括173項發(fā)明專利及40項實用新型專利，以及480項專利申請，覆蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。

目前，英諾賽科實現(xiàn)了集芯片設計、芯片制造、芯片封裝和測試等多個產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一身，采用IDM業(yè)務模式（即全產(chǎn)業(yè)鏈模式）。客戶包括半導體制造服務供應商、專門從事可再生能源技術的高科技公司以及汽車OEM的一級供應商。

英諾賽科主要財務數(shù)據(jù)：

氮化鎵（GaN）是由人工合成的一種半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表。相比于硅、砷化稼等第一、二代半導體材料，第三代半導體材料具備高功率、耐高溫、耐高壓等多個方面的明顯優(yōu)勢。氮化鎵產(chǎn)品如今已經(jīng)廣泛應用在了消費電子快充、新能源汽車、工業(yè)等領域。英諾賽科也已經(jīng)收獲小米、OPPO、比亞迪等眾多大客戶。

2021年至2023年，英諾賽科實現(xiàn)的營收分別為0.68億元、1.36億元和5.92億元，2022年同比增長99.7%，2023年增長335.2%，復合年增長率為194.8%。收入持續(xù)增長的英諾賽科，目前仍未實現(xiàn)盈利。報告期內，英諾賽科經(jīng)營虧損金額分別10億元、11.8億元和9.8億元，合計31.6億元。

英諾賽科表示，公司持續(xù)虧損原因在于生產(chǎn)設備大幅折舊、大額研發(fā)開支、銷售及營銷開支的不斷增加。

分產(chǎn)品來看，英諾賽科提供分立器件及集成電路、晶圓、模組等產(chǎn)品。2023年，英諾賽科開始供應氮化鎵模組，分立器件及集成電路、晶圓、模組三大產(chǎn)品的營收占比分別為32.4%、35.2%、32.1%。

據(jù)招股書，2021年至2023年，中國市場始終是英諾賽科的業(yè)務重心，其收入分別為0.68億、1.3億及5.35億，占同年總收益的99.7%、95.5%及90.2%。

值得關注的是，英諾賽科在海外市場也實現(xiàn)了擴張。除了在蘇州、珠海建立工廠外，英諾賽科同時在硅谷、首爾、比利時等地設立子公司。英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地。截至2023年12月31日，產(chǎn)能達到每月10000片晶圓，實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)規(guī)模的商業(yè)化，晶圓良率超過95%。2021年至2023年，英諾賽科的產(chǎn)能利用率分別為72.3%、69.8%及71.8%。

2023年，英諾賽科已向國內和海外（包括亞洲、歐洲和北美）約100名客戶提供了氮化鎵產(chǎn)品。2021年至2023年，公司海外市場占同年總收益的0.3%、4.5%及9.8%，2023年營收接近0.58億元。

公司的銷售成本包括工程及維修成本、折舊及攤銷、封裝及測試成本、材料成本、公用設備成本、制造人員成本、存貨減記成本等。其中，工程及維修成本、折舊及攤銷和封裝及測試成本為最主要的銷售成本，于2023年分別占總成本的30.0%、29.0%及19.8%。

作為一家科技型公司，英諾賽科在研發(fā)上的投入相當高，自2021年至2023年及今年上半年分別是同期總收入的970%、426%、58.8%及37.7%。

英諾賽科稱，研發(fā)開支有所減少，主要是自2022年第二季度起，英諾賽科從研發(fā)階段進展至大規(guī)模生產(chǎn)階段。截至2023年底，公司擁有397名研發(fā)人員。公司在全球有約700項專利和專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。

英諾賽科融資情況：

招股書顯示，自2018年至2024年，英諾賽科累計進行了5輪融資，融資總額達到62.3億元，投資方陣容包括鈦信資本、毅達資本、創(chuàng)新證券、海富產(chǎn)業(yè)基金、永剛集團、國民創(chuàng)投、招銀國際資本、朗瑪峰創(chuàng)投、SK中國、ARM等知名投資機構及行業(yè)巨頭。截至2024年4月1日的E輪融資后，按28.13元的每股價格計算，公司的投后估值達到234.5億元（約250億港元）。

2018年6月，英諾賽科完成A輪融資5500萬元；

2021年1月，公司完成B輪融資15.02億元；

同月，公司完成C輪融資14.18億元；

2022年2月，公司完成D輪融資26.09億元；

今年4月，英諾賽科剛剛完成了E輪融資，融資金額為6.5億元。合計五輪融資金額超過60億元。

英諾賽科此次IPO，募資凈額約13.637億港元(按發(fā)售價范圍中位數(shù)計)：英諾賽科IPO募集所得資金凈額將主要用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購買并升級生產(chǎn)設備與機器，以及招聘生產(chǎn)人員；研發(fā)并擴大產(chǎn)品組合擴大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡等方面。此次申請港股上市，英諾賽科計劃將IPO募集所得資金凈額用于以下項目：

1、60.0%用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能（從截至2023年12月31日的每月10,000片晶圓擴大至未來五年每月70,000片晶圓）、購買及升級生產(chǎn)設備及機器及招聘生產(chǎn)人員。

2、20.0%用于研發(fā)及擴大產(chǎn)品組合，以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場（如消費電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心）的滲透率。我們計劃推出新產(chǎn)品，包括低電壓及高電壓氮化鎵晶圓、分立器件及集成電路。

3、10.0%用于擴大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡；

4、10.0%用于營運資金及其他一般公司用途。

英諾賽科招股書鏈接：

https://www1.hkexnews.hk/listedco/listconews/sehk/2024/1218/2024121800032_c.pdf