國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時 4 年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現我國在該領域的首次突破。
導體項目、安力科技第三代半導體及大硅片襯底研磨液項目、全芯微電子半導體高端設備研發制造基地項目、遼寧恩微芯片封裝測試項目、雅克科技球形硅微粉、球形氧化鋁項目，日本航空電子高端電子元器件項目、露笑科技第三代功率半導體（碳化硅）產業園項目和大尺寸碳化硅襯底片研發中心項目迎來新進展。
天眼查顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司近日取得一項名為一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底的專利，授
業內人士表示，預計未來兩年中國碳化硅（SiC）芯片價格將下降高達30%。
7月25日，北京經濟技術開發區（北京亦莊）碳化硅功率芯片IDM企業北京芯合半導體有限公司（以下簡稱芯合半導體）發布自主研發生產
5月31日，歐盟委員會批準意大利政府對意法半導體總計20億歐元的補貼計劃，用于一項總投資50億歐元的碳化硅微芯片制造工廠。這是
6月22日-23日，“新一代半導體晶體技術及應用大會在濟南召開。 “碳化硅晶體技術及其應用”平行論壇上，實力派嘉賓代表們深入研討，分享相關技術最新研究成果，探討發展趨勢與前沿，觀點交互，碰撞激發新的思路，共同促進產業技術發展。
年產36萬片碳化硅晶圓的長飛先進武漢基地正式迎來主體結構封頂的關鍵時刻！
合盛硅業董事&合盛新材料總經理浩瀚表示,合盛新材從2018年開始正式進軍碳化硅產業,目前公司已完整掌握了碳化硅材料的原料合成、晶體生長、襯底加工以及芯片外延等全產業鏈核心工藝技術,突破關鍵材料(多孔石墨、涂層材料)和裝備的技術壁壘,6英寸襯底和外延片已得到國內多家下游器件客戶的驗證,8英寸襯底研發進展順利。
在本月7日的中國汽車重慶論壇上，比亞迪品牌及公關處總經理李云飛表示，比亞迪新建碳化硅工廠將成為行業最大的工廠。李云飛在訪
碳化硅功率器件具備優越的耐高壓、耐高溫、低損耗等特性，解決了傳統硅基器件難以滿足的性能需求，受到市場廣泛歡迎。在過去1年多的時間里，國內碳化硅產業經歷了快速發展。
意法半導體（簡稱 ST）與吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。
近日，泰科天潤披露了最新6英寸SiC電力電子器件產業化項目環境影響報告表。文件顯示，泰科天潤6英寸碳化硅電力電子器件產業化項
2024年4月8-11日，國內化合物半導體領域規模最大、規格最高的標桿性展會2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產業博覽會將在武
科友半導體官微消息，2024年3月27日，科友半導體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰略合作協議，開展八英寸碳化硅完美籽晶的項目合作。
長江日報3月26日訊（記者 李琴 通訊員 張希為）激光飛旋，智能化生產線上，一片碳化硅晶圓完成了切割，崩邊尺寸在5微米以內，達
該項目為廣東省2022年和2023年重點建設項目、深圳市2022年和2023年重大項目，是深圳加快第三代半導體產業發展的重要布局。
碳化硅作為第三代半導體，其實并不是新鮮概念。
2英寸碳化硅單晶襯底、4英寸碳化硅單晶襯底、6英寸碳化硅單晶襯底河北同光半導體股份有限公司（以下簡稱同光）自成立以來，不斷
2023年是半導體市場承壓和庫存整理的年份，但其中也有明顯逆勢而上的產業——碳化硅（SiC）市場。