服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍
國家知識產權局信息顯示，鎵特半導體科技（銅陵）有限公司取得一項名為一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應器的專利，授權公告號CN
氮化鎵（GaN）正在重塑半導體行業游戲規則。近日，九峰山實驗室已從材料、器件到產業應用取得一系列突破性成果。九峰山實驗室8英
近日，九峰山實驗室科研團隊在全球首次實現8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。該成果將助力射頻前
九峰山實驗室GaN系列成果首次重磅發布！在顛覆性材料、器件及設計創新、系統級應用創新方面，重磅發布國際首創8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底（N-polar GaNOI）、全國首個100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺、動態遠距離無人終端無線能量傳輸完成示范驗證。
國家知識產權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為一種氮化鎵基化合物半導體激光器的專利，公開號CN 119627617 A，申
國家知識產權局信息顯示，廣東芯賽威科技有限公司取得一項名為電源管理芯片及電源管理電路的專利，授權公告號 CN 222563696 U，
3月10日，上海新微半導體有限公司（簡稱新微半導體）正式推出650V硅基氮化鎵增強型（E-mode）功率工藝代工平臺。該平臺憑借高頻
國家知識產權局信息顯示，廣東芯賽威科技有限公司取得一項名為電源管理芯片及電源管理電路的專利，授權公告號 CN 222563696 U，
近日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”在重慶召開。期間，“分論壇二：氮化鎵及其他功率半導體技術及應用“上，浙江大學教授、杭州鎵仁半導體有限公司董事長張輝，帶來了“大尺寸高質量氧化鎵單晶材料進展”主題報告。
2月28日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”，分論壇二：氮化鎵及其他功率半導體技術及應用”，圍繞氮化鎵、氧化鎵功率半導體技術及應用，氮化鎵、金剛石功率半導體技術及應用，氮化鎵、氧化鎵及金剛石功率半導體制造關鍵技術及裝備等熱點主題與方向深入分享探討。
近日，浙江大學集成電路學院柯徐剛研究員團隊，提出了一款工業級可量產、應用于大功率AI數據中心的基于第三代半導體氮化鎵的高效
2025年2月24日，按照第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經CASAS管理委員會投票通過1項硅襯底
2月26-28日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。華南師范大學研究員王幸福受邀將出席論壇，并帶來《壓電電子學調控氮化鎵異質結電子氣及HEMT器件特性》的主題報告，敬請關注！
2月26-28日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。杭州云鎵半導體科技有限公司器件研發經理李茂林受邀將出席論壇，并帶來《氮化鎵功率器件與工業級應用前景》的主題報告，敬請關注！
香港科技大學電子與計算機工程系陳敬教授課題組，在第70屆國際電子器件大會（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上報告了多項基于寬禁帶半導體氮化鎵，碳化硅的最新研究進展。研究成果覆蓋功率器件技術和新型器件技術.
在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）結溫高精度測試方面實現新進展，該研究提出的多波長激光瞬態熱反射（MWL-TTR）技術，成功實現亞微米級空間分辨、納秒級時間分辨的溝道溫度精準監測。
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延薄膜中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展。
官員們正在確定哪些設備需要獲得出口至中國的許可。
英諾賽科作為全球第三代半導體氮化鎵的領導者針對數據中心領域，開發了多系列分立和集成氮化鎵產品，能夠最大限度提升效率，減少能源浪費。