?2025年2月24日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過1項硅襯底氮化鎵外延片方面的團體標準立項建議，詳細信息如下：

秘書處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標準起草小組，請CASAS正式成員關(guān)注秘書處郵件（casas@casa-china.cn）。

T/CASAS 060—202X 《HEMT器件用硅襯底氮化鎵外延片》旨在規(guī)范用于制備HEMT用的Si襯底GaN外延材料在關(guān)鍵參數(shù)要求、測試方法、檢測規(guī)則、包裝運輸?shù)确矫娴臉藴剩瑸楹罄m(xù)制造GaN功率器件提供基礎(chǔ)。目前市場Si襯底GaN外延材料以6英寸和8英寸為主，本文件對6英寸和8英寸外延材料做了規(guī)范。首先提出了使用的Si襯底的參數(shù)要求；其次提出了外延片的材料的晶體質(zhì)量、外延層厚度及翹曲、表面顆粒、表面粗糙度等要求；也提出了外延材料的二維電子氣(2DEG)濃度、遷移率、方阻不均勻性、緩沖層垂直擊穿電壓及漏電流等參數(shù)要求，以確保外延片性能符合器件性能和應(yīng)用的需求；同時還應(yīng)提出了外延片厚度不均勻性的要求，使生產(chǎn)的大尺寸GaN-on-Si外延片能夠確保器件在量產(chǎn)過程中保持較高良率。此外，還需要針對GaN-on-Si外延片關(guān)鍵參數(shù)的檢測方法和檢測規(guī)則制定規(guī)范化標準，以便對符合標準的外延片進行認證和標識。?

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司

晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的先鋒廠商，技術(shù)實力處于國際領(lǐng)軍地位。

在公司發(fā)展過程中，晶湛在業(yè)內(nèi)創(chuàng)造過多項創(chuàng)舉。2014年底，晶湛半導(dǎo)體率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標和卓越的性能，實現(xiàn)了國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重要升級。2021年9月，晶湛半導(dǎo)體成功發(fā)布12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了國內(nèi)外廣泛關(guān)注。經(jīng)過多年的專注發(fā)展，晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為國內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍企業(yè)，通過與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級會議IEDM等發(fā)布相關(guān)創(chuàng)新成果，引起國際半導(dǎo)體界的廣泛關(guān)注和一致好評。

晶湛半導(dǎo)體高度重視自主研發(fā)和核心知識產(chǎn)權(quán)工作，在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項核心技術(shù), 擁有獨立的自主知識產(chǎn)權(quán)，晶湛半導(dǎo)體目前已在國內(nèi)外累計申請超900項專利，其中已獲得超200項專利授權(quán)。公司還先后榮獲國家級專精特新小巨人企業(yè)、國家知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)、高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省企業(yè)工程技術(shù)研究中心、江蘇省潛在獨角獸企業(yè)、江蘇省瞪羚企業(yè)、江蘇省百件優(yōu)質(zhì)發(fā)明專利、江蘇省高質(zhì)量發(fā)明專利、蘇州市技術(shù)發(fā)明一等獎、蘇州市優(yōu)秀專利獎等一系列資質(zhì)和榮譽。

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司將一直秉承著“成為世界領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料供應(yīng)商”的愿景，為客戶創(chuàng)造價值。?