?在眾多寬禁帶半導(dǎo)體中，氧化鎵是唯一可用常壓、傳統(tǒng)熔體法做大尺寸晶體的寬禁帶半導(dǎo)體，具有生長速度快（1~2個數(shù)量級）、大規(guī)模量產(chǎn)成本低、可做高質(zhì)量大尺寸晶體等優(yōu)點。與SiC、GaN相比，氧化鎵具有更大的禁帶寬度、擊穿場強、巴利加優(yōu)值，制作的功率器件具有更高的工作電壓、功率，以及更小的導(dǎo)通電阻和功耗。氧化鎵的硬度（6）與硅的硬度接近，可以用硅成熟的加工設(shè)備和技術(shù)（金剛線切割，CMP），具有高的加工效率和成品率，可顯著降低成本。氧化鎵已成為功率器件領(lǐng)域的“卡脖子”材料。?

近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與三安光電股份有限公司共同主辦的“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”在重慶山城國際會議中心盛大召開。論壇圍繞功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈中的諸多關(guān)鍵問題，多方優(yōu)勢力量強強聯(lián)合，院士領(lǐng)銜，專家齊聚，攜手促進功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。

??浙江大學(xué)教授、杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司董事長張輝

期間 ，“分論壇二：氮化鎵及其他功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用“上，浙江大學(xué)教授、杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司董事長張輝，帶來了“大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進展”主題報告，分享了氧化鎵單晶生長技術(shù)、直拉、鑄造及VB單晶生長研發(fā)等最新進展。報告指出，氧化鎵晶體生長方法種類繁多，鑄造和VB法在尺寸、成本、質(zhì)量等諸多方面，均展現(xiàn)出規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的極大潛力。

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其團隊研究開發(fā)的鑄造法等技術(shù)已成功實現(xiàn)多種晶向，不同摻雜，大尺寸（6英寸）氧化鎵晶體的生長，可滿足各種外延，器件需求。根據(jù)測算，其現(xiàn)有技術(shù)量產(chǎn)后就可以將6英寸襯底成本做到2000元以下，進一步降低成本將會在2~3年內(nèi)完成，為產(chǎn)業(yè)提供高質(zhì)量、廉價襯底。高質(zhì)量、低成本的襯底可以輔助同行攻克一些關(guān)鍵問題，比如缺陷行為、p型摻雜、大面積大電流器件。氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化進程將逐漸加速，襯底、外延、器件、應(yīng)用的結(jié)合應(yīng)更為緊密，實現(xiàn)超越。

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公司簡介

杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。鎵仁半導(dǎo)體依托浙江大學(xué)硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室和浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心，已建成以中國科學(xué)院院士為首席顧問，具備豐富行業(yè)經(jīng)驗的研發(fā)、生產(chǎn)、運營團隊。公司開創(chuàng)了氧化鎵單晶生長新技術(shù)，獲得 14 項國際、國內(nèi)發(fā)明專利，打破了西方國家在氧化鎵襯底材料上的壟斷和封鎖。鎵仁半導(dǎo)體立足于解決國家重大需求，將深耕于氧化鎵上游產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)創(chuàng)新，努力為我國的電力電子等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供產(chǎn)品保障。?

鎵仁半導(dǎo)體引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，采用自主研發(fā)的鑄造法等單晶生長技術(shù)，實現(xiàn)6英寸氧化鎵單晶襯底和晶圓級（010）單晶襯底的生產(chǎn)技術(shù)突破，并開發(fā)了首臺包含工藝包的氧化鎵專用VB長晶設(shè)備。公司已掌握氧化鎵生長、加工、外延等全鏈條的核心技術(shù)，為客戶提供擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的大尺寸高質(zhì)量氧化鎵產(chǎn)品及設(shè)備。