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期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，中微半導體設備（上海）股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長的CVD設備”的主題報告，分享了基于CFD模擬的SiC刀具設計優(yōu)化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結果等內容。

”碳化硅功率器件及其封裝技術 I“上，江蘇博睿光電股份有限公司副總經理梁超做了”功率器件封裝用的高性能AlN陶瓷基板及金屬化技術“的主題報告。分享了面向功率器件封裝用陶瓷基板的發(fā)展現況，以及博睿陶瓷基板研究進展等內容。

天岳先進攜全系列碳化硅襯底產品精彩亮相，并隆重發(fā)布了行業(yè)領先的300mm碳化硅襯底產品。

天科合達官微宣布，公司“第三代半導體碳化硅襯底產業(yè)化基地建設二期項目”開工儀式在北京順利舉行。

上海林眾電子科技有限公司智能質造中心啟用儀式在車墩鎮(zhèn)舉行。

納微半導體今日發(fā)布全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計，實現了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規(guī)模數據中心。

碳化硅功率器件及其封裝技術分會日程出爐，聚焦前沿趨勢，敬請期待！

晶盛機電（300316）11月4日發(fā)布投資者關系活動記錄表，公司于2024年11月1日接受3家機構調研，機構類型為其他、海外機構。 投資者

“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術分會”日程出爐，敬請關注！

國家知識產權局信息顯示，上海漢虹精密機械有限公司申請一項名為一種單晶爐碳化硅爐專用的KF40電動蝶閥的專利，公開號 CN 118881

國家知識產權局信息顯示，山東粵海金半導體科技有限公司取得一項名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權公告號CN 2218

PVT單晶生長設備、HVPE單晶生長設備、碳化硅高溫氧化設備11年，11款產品。經過10多年的發(fā)展，山東力冠微電子裝備有限公司已成為

晶馳機電生產基地項目總投資2億元晶馳機電是浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院孵化企業(yè)

國家知識產權局信息顯示，江蘇集芯先進材料有限公司申請一項名為大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置的專利，公開號CN 118756340

晶盛機電在回答投資者提問時表示，是一家國內領先的專注于先進材料、先進裝備的高新技術企業(yè)。在先進裝備領域，公司光伏裝備取得

張北縣年產8億件高端碳化硅半導體研發(fā)基地項目建設“不打烊”。

PowerAmerica執(zhí)行董事兼首席技術官Victor Veliadis將出席論壇并做大會報告，分享“加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進程”，并將在專題技術分會上，繼續(xù)分享“在硅晶圓廠中制造SiC”的研究成果。

中電四公司成功中標北京天科合達半導體股份有限公司“第三代半導體碳化硅襯底產業(yè)化基地建設二期項目（1#生產廠房等12項）”，中標金額：1159022898.60元。

天眼查知識產權信息顯示，揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法，公開號 CN2

9月5日，中國電科在官微透露，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設備關鍵技術再次獲得突破。據悉，此次全新升級的8英寸碳化