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中國半導體產(chǎn)業(yè)正加速投產(chǎn)。

天眼查顯示，派恩杰半導體（浙江）有限公司基于S參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設備專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申

國家知識產(chǎn)權局信息顯示，上海積塔半導體有限公司申請一項名為檢測晶圓位置的方法、晶圓環(huán)切方法及晶圓環(huán)切裝置的專利，公開號 C

國家知識產(chǎn)權局信息顯示，浙江睿熙科技有限公司申請一項名為VCSEL 集成晶圓及其制造方法的專利，公開號 CN 119134035 A，申請日

中國氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動招股，并將于2024年12月23日結束招股。

俄羅斯最大的芯片制造商之一Angstrom-T因無力償還990萬美元（約合人民幣7200萬元）債務而宣布破產(chǎn)。

俄羅斯晶圓廠Angstrom-T在近期已經(jīng)宣布破產(chǎn)。

荷蘭半導體企業(yè)恩智浦 NXP 與臺灣地區(qū)特殊制程代工廠商世界先進 VIS 雙方合資（股權比例為 4:6）公司 VSMC 今日在新加坡淡濱尼舉行其首座晶圓廠的動土典禮。

京東方科技集團11月15日晚公告稱，擬通過子公司天津京東方創(chuàng)投出資20億元參股北電集成12英寸集成電路生產(chǎn)線項目，該項目總投資33

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南砂晶圓誠邀產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨B12號展位參觀交流、洽談合作

北京大學物理學院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室許福軍、沈波團隊創(chuàng)新

11月6日，北一半導體科技有限公司（以下簡稱北一半導體）在其官微宣布其晶圓廠喜封金頂。據(jù)介紹，北一半導體投資20億元在穆棱經(jīng)

西安電子科技大學郝躍院士課題組張進成教授、李祥東教授團隊與松山湖材料實驗室王新強教授、袁冶副研究員團隊，以及廣東致能科技有限公司聯(lián)合攻關

國家知識產(chǎn)權局信息顯示，粵芯半導體技術股份有限公司申請一項名為一種光刻機對準方法的專利，公開號CN 118838133 A，申請日期為

團聚金剛石技術是中機新材在金剛石減薄砂輪領域的一大創(chuàng)新。通過這一技術，能夠有效地解決微粉磨料的軟團聚問題，提高混料的均勻性。

英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，這種晶圓直徑為300mm，厚度為20μm。厚度僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進的40-60μm晶圓厚度的一半。

國家知識產(chǎn)權局信息顯示，蘇州高視半導體技術有限公司申請一項名為基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法及其相關產(chǎn)品的專利，公開號 C

國家知識產(chǎn)權局信息顯示，中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請一項名為光刻機焦距監(jiān)控方法、焦距監(jiān)控掩膜版及其形成方法的專

天眼查顯示，華海清科股份有限公司驅動機構的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲介質專利公布，申請公布日為2024年9月24日，申請