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Wolfspeed正穩(wěn)步推進其位于北卡羅來納州查塔姆縣的50億美元半導(dǎo)體工廠建設(shè)，該項目進展順利，即將完工并投產(chǎn)

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的驅(qū)動因素和重要保證。記者從中國科學(xué)院微電子研究所獲悉，我國

被譽為電力電子系統(tǒng)心臟的功率器件，是實現(xiàn)電能變換和控制的核心，也是國計民生領(lǐng)域最為基礎(chǔ)、應(yīng)用最為廣泛的元器件之一，其核心

劉新宇表示，合作團隊共同開展的碳化硅載荷，已于2024年11月搭乘天舟八號貨運飛船飛向太空，開啟了在中國空間站軌道的科學(xué)試驗之旅。

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Car

據(jù)豫基建消息，在鄭州新密市，一個總投資額高達 150 億元的半導(dǎo)體先進制造業(yè)產(chǎn)業(yè)園項目即將拉開序幕。該項目備受各界矚目，承載

1月10日，杰立方半導(dǎo)體（香港）有限公司（以下簡稱杰立方）在大灣區(qū)（深圳）工商界高峰論壇及交流會2025上，與香港工業(yè)總會（FHK

天眼查顯示，深圳基本半導(dǎo)體有限公司碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法專利公布，申請公布日為2024年11月29日，申請公布號為

天眼查顯示，派恩杰半導(dǎo)體（浙江）有限公司基于S參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申

該調(diào)查將初步評估中國的行為、政策和做法對碳化硅襯底或其他用作半導(dǎo)體制造投入的晶片生產(chǎn)的影響。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司申請一項名為碳化硅襯底及其制備方法、半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備的專利，公開號 CN 119153

武漢金信新材料有限公司（以下簡稱“金信新材料”）芯片用第三代半導(dǎo)體8英寸碳化硅晶錠項目完成研發(fā)，通過了行業(yè)專家驗證

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，根據(jù)破產(chǎn)資訊網(wǎng)披露的《北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司管理人公開選聘審計、評估機構(gòu)的公告》顯示，北京市

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天岳先進將繼續(xù)秉持“先進 品質(zhì) 持續(xù)”的理念，堅持自主創(chuàng)新，品質(zhì)引領(lǐng)，為碳化硅行業(yè)的廣闊發(fā)展貢獻天岳力量。

“碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I”分會上，加拿大多倫多大學(xué)電氣與計算機工程系教授吳偉東做了“SiC 功率 MOSFET老化檢測智能柵極驅(qū)動器”的主題報告，分享了相關(guān)研究進展。

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安森美（onsemi，納斯達克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)

江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司近日完成了新廠房的整體搬遷

“碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I”分會上，專家們齊聚，共同探討碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)的發(fā)展。