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11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展將在蘇州國際博覽中心舉辦。順義科創(chuàng)將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會。值此，誠邀同仁共聚論壇，蒞臨 B03號展位參觀交流、洽談合作。

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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，粵芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司申請一項名為一種光刻機對準方法的專利，公開號CN 118838133 A，申請日期為

10月29日，由東海投資與淄博市臨淄區(qū)共同出資設(shè)立的淄博東海新驅(qū)動創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）完成基金備案，總規(guī)模2億元。東

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，長鑫存儲技術(shù)有限公司申請一項名為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法的專利，公開號CN 118829192 A，申請日期為2023

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市聯(lián)微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司取得一項名為定位裝置的專利，授權(quán)公告號CN 221885077 U，申請日期為2024

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。目前，“氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用分會”最新報告日程正式出爐。

美國芝加哥大學(xué)普利茲克分子工程學(xué)院團隊展示了界面生物電子學(xué)領(lǐng)域的新突破：他們創(chuàng)造出具有強大半導(dǎo)體功能的新型水凝膠材料。

作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室、高武半導(dǎo)體，小米通訊技術(shù)，匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、云塔電子，能訊高能半導(dǎo)體，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，九峰山實驗室，江南大學(xué)，中國科學(xué)院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。

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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，漢斯半導(dǎo)體（江蘇）有限公司取得一項名為一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置的專利，授權(quán)公告號 CN 221871

壓力之下，聞泰科技如何在逆境中找到破局之道，不僅穩(wěn)固了市場地位，更實現(xiàn)了業(yè)績的飛躍？

拜登政府敲定針對美國個人和公司投資中國先進技術(shù)的限制，其中包括半導(dǎo)體、量子計算和人工智能（AI）。新規(guī)旨在防止美國資本和專業(yè)知識被用來幫助中國開發(fā)先進科技關(guān)鍵技術(shù)。

由于先進封裝可以大幅提高芯片良率、降低設(shè)計復(fù)雜度及減少芯片制造成本，已成為美日對華半導(dǎo)體競爭的最前沿。

總投資30億元！盤古半導(dǎo)體多芯片高密度板級扇出先進封裝項目喜封金頂

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德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠