當地時間9月11日，英飛凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功開發(fā)出全球首款300毫米功率氮化鎵（GaN）晶圓技術，并率先在現有的可擴展大批量制造環(huán)境中掌握這一突破性技術。

與 200 mm 晶圓相比，300mm 晶圓上的芯片生產在技術上更先進、效率更高，更大的晶圓直徑可以提供2.3 倍的芯片。GaN 基功率半導體正迅速應用于工業(yè)、汽車、消費、計算和通信應用，包括 AI 系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統。此外，300mm 晶圓通過可擴展性確保了上級客戶供應穩(wěn)定性。

英飛凌科技股份公司 CEO Jochen Hanebeck 在公告中稱：“這項技術突破將改變行業(yè)游戲規(guī)則，使我們能夠釋放氮化鎵的全部潛力。在收購 GaN Systems 近一年后，我們再次證明我們決心成為快速增長的 GaN 市場的領導者。作為電力系統的領導者，英飛凌掌握了所有三種相關材料：硅、碳化硅和氮化鎵。”

據悉，英飛凌在其位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率晶圓廠中，利用現有的 300mm 硅生產線，成功地在集成中試生產線上制造出 300mm GaN 晶圓，并利用其在現有 300mm 硅和 200mm GaN 生產線上的成熟能力。英飛凌表示將根據市場需求進一步擴大 GaN 產能。

（來源：IT之家）