?金剛石材料因具有超寬禁帶、高載流子遷移率、高飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性，已成為國內(nèi)外研究熱點(diǎn)。金剛石半導(dǎo)體材料?的發(fā)展關(guān)系到高頻、高功率系統(tǒng)的更新?lián)Q代。同時(shí)，半導(dǎo)體測試技術(shù)的發(fā)展對于確保半導(dǎo)體器件的質(zhì)量、性能和可靠性至關(guān)重要。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展，測試技術(shù)也在不斷演進(jìn)，以滿足越來越復(fù)雜和高性能的半導(dǎo)體器件的需求。
6月22日-23日，“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會在濟(jì)南召開。本次會議在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)下，由山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院、山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、濟(jì)南市歷城區(qū)人民政府、山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司、山東華光光電子股份有限公司、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。
會議除開幕大會，還設(shè)置了四大平行論壇。其中“金剛石和半導(dǎo)體測試技術(shù)”平行論壇上，實(shí)力派嘉賓代表們深入研討，分享相關(guān)技術(shù)最新研究成果，探討發(fā)展趨勢與前沿。廈門大學(xué)副教授尹君，山東大學(xué)教授彭燕共同主持了該分論壇。
?廈門大學(xué)副教授尹君
山東大學(xué)教授彭燕
《SiC/金剛石新型散熱結(jié)構(gòu)》
CVD金剛石薄膜的熱導(dǎo)率已接近或達(dá)到天然金剛石的水平；無需散熱裝置，減小整機(jī)體積，提供了制作超大規(guī)模集成電路的可能；成為目前用作高功率密度器件的散熱元件最理想的材料。山東大學(xué)教授彭燕做了“SiC/金剛石新型散熱結(jié)構(gòu)”的主題報(bào)告，分享了新型散熱結(jié)構(gòu)的最新研究進(jìn)展與成果。報(bào)告指出，當(dāng)前制備出高質(zhì)量單晶金剛石現(xiàn)階段仍存在一定困難。新型材料體系：理論模擬-材料生長-超精密加工-器件制備，全套工藝流程和制備方案；解決了（1）異質(zhì)界面多晶成核的問題；（2）SiC-金剛石熱學(xué)特性模擬；兼容已建立的SiC基GaN外延和器件制造技術(shù)，制備出高性能器件。
?
南京大學(xué)副教授陶濤
《金剛石的高質(zhì)量生長及其器件》
南京大學(xué)副教授陶濤做了“金剛石的高質(zhì)量生長及其器件”的主題報(bào)告，分享了高質(zhì)量金剛石材料、金剛石異質(zhì)結(jié)及其器件等研究進(jìn)展。涉及金剛石材料外延生長、金剛石材料拼接、金剛石材料共摻雜、金剛石多晶材料外延、金剛石終端結(jié)構(gòu)與器件、金剛石異質(zhì)端結(jié)構(gòu)與探測等，報(bào)告指出金剛石生長向著更大尺寸、更高質(zhì)量、快且平整方向發(fā)展，新結(jié)構(gòu)催生新器件，新器件拓展新應(yīng)用，新應(yīng)用也將提出新要求。
?
西安交通大學(xué)副教授王若錚
《MPCVD法生長英寸級單晶金剛石的相關(guān)機(jī)理探討》
為了發(fā)揮“終極半導(dǎo)體”金剛石在微波功率器件、電力電子器件、探測與傳感器等領(lǐng)域的巨大潛力，急需研制出大尺寸、低缺陷單晶金剛石自支撐襯底。西安交通大學(xué)副教授王若錚做了“MPCVD法生長英寸級單晶金剛石的相關(guān)機(jī)理探討”的主題報(bào)告，報(bào)告指出，目前，英寸級單晶金剛石襯底的研究主要有同質(zhì)/異質(zhì)外延兩條技術(shù)路線。同質(zhì)外延以“二維/三維自擴(kuò)張”和“馬賽克拼接”為主，多籽晶拼接后的晶體取向一致性較難調(diào)控；異質(zhì)外延已經(jīng)突破了2-4英寸襯底制備，但由于金剛石與異質(zhì)襯底之間存在顯著的晶格失配、熱應(yīng)力等，導(dǎo)致襯底易碎裂，此外襯底質(zhì)量較同質(zhì)外延仍有一定差距。報(bào)告中介紹了近年來國內(nèi)外在MPCVD生長單晶金剛石的研究進(jìn)展，同時(shí)介紹了其課題組在同質(zhì)/異質(zhì)外延方向的一些特色工作。
?
國防科技大學(xué)副教授趙立山
《金剛石長晶和表面處理用MPCVD設(shè)備的若干關(guān)鍵技術(shù)問題》
金剛石生長和表面處理過程中，微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）設(shè)備扮演了重要角色。國防科技大學(xué)副教授趙立山做了“金剛石長晶和表面處理用MPCVD設(shè)備的若干關(guān)鍵技術(shù)問題”的主題報(bào)告，分享了相關(guān)研究進(jìn)展與成果。
?
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員伍紹騰
《基于異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)的硅基材料與器件研究》
異質(zhì)集成將不同材料組合在一起，以實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢互補(bǔ)，創(chuàng)造出新的功能性材料和器件，是當(dāng)今半導(dǎo)體領(lǐng)域的前沿基礎(chǔ)研究方向之一, ?在微電子器件、光電子器件等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員伍紹騰做了“基于異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)的硅基材料與器件研究”的主題報(bào)告，分享了最新研究進(jìn)展與成果，涉及GeOI、GeSnOI、GaNOI等。報(bào)告顯示，國內(nèi)尚未能實(shí)現(xiàn)6-8英寸的GeOI晶圓商業(yè)化。回國后，采用低溫晶圓鍵合法迅速實(shí)現(xiàn)，小尺寸及4-6英寸大尺寸GeOI晶圓的制備；但隨著晶圓尺寸增大，有效材料面積逐漸變小。2024年已實(shí)現(xiàn)4-6英寸完整晶圓。GeSn ?LED光源器件在2微米波段實(shí)現(xiàn)了8倍增強(qiáng)的諧振峰，未來需要加強(qiáng)研究實(shí)現(xiàn) 硅基 GeSn 電注入激光器。
布魯克高級應(yīng)用工程師雷浩東
《分子光譜技術(shù)在化合物半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的應(yīng)用》
分子光譜技術(shù)在化合物半導(dǎo)體研究中具有廣泛應(yīng)用，能夠提供關(guān)于材料結(jié)構(gòu)、化學(xué)成分、光學(xué)性質(zhì)和電子特性的豐富信息。這些技術(shù)在材料開發(fā)、性能優(yōu)化和質(zhì)量控制中發(fā)揮關(guān)鍵作用，推動(dòng)了化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)步和應(yīng)用拓展。布魯克高級應(yīng)用工程師雷浩東做了“分子光譜技術(shù)在化合物半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了碳化硅（SiC）晶型&缺陷，摻雜劑和/或雜質(zhì)、半導(dǎo)體材料光學(xué)透過率、外延層厚度紅外光學(xué)測試分析等研究進(jìn)展。
?
山東大學(xué)高級實(shí)驗(yàn)師孫麗
《射線形貌技術(shù)在半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用》
晶體缺陷的表征和控制在半導(dǎo)體材料的制備和應(yīng)用中至關(guān)重要。晶圓襯底缺陷的類型、大小和密度直接決定了半導(dǎo)體器件的性能和穩(wěn)定性。線缺陷和表面缺陷的識別和判斷一直是科研人員和企業(yè)質(zhì)量控制的重點(diǎn)和難點(diǎn)。應(yīng)用晶體材料缺陷無損檢測技術(shù)是降低研發(fā)成本、提高研發(fā)效率的有效手段之一。山東大學(xué)高級實(shí)驗(yàn)師孫麗做了“射線形貌技術(shù)在半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用”的主題報(bào)告，報(bào)告指出，X射線形態(tài)檢測系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體晶體層錯(cuò)、位錯(cuò)缺陷的無損表征（SF/TSD/TED/BPD等），也有利于研究晶體缺陷的變化，為改進(jìn)晶體生長和外延工藝提供理論指導(dǎo)和數(shù)據(jù)支持。該設(shè)備理論上可以應(yīng)用于所有可以滿足Bragg衍射的晶體，包括但不限于：SiC、GaN、AlN、金剛石、GaAs、InP、CdTe、Al2O3、Si、Ge、石英和其他單晶材料。報(bào)告主要闡述了XRT技術(shù)的基本原理，并展示了TSD和BPD的XRT圖像。同時(shí)，比較了XRT和傳統(tǒng)濕法刻蝕方法的SiC位錯(cuò)缺陷分布和統(tǒng)計(jì)結(jié)果。
?
?
備注：根據(jù)現(xiàn)場有限資料整理，僅供參考！如有出入，敬請諒解！
?
?