?Micro-LED技術應用已從大屏顯示擴展到微顯示，因其具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩飽和度、響應速度快、壽命長等優(yōu)勢，已在AR/VR、車載等應用領用嶄露頭角，然而Micro LED微顯示技術仍處于發(fā)展的初級階段，面臨眾多技術挑戰(zhàn)。

近日，在廈門召開的第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）的“Mini/Micro-LED技術產業(yè)應用論壇”上，三安光電氮化鎵事業(yè)部芯片研發(fā)部部長何安和帶來了“Micro-LED微顯示芯片技術發(fā)展及挑戰(zhàn)”的主題報告，報告聚焦μLEDoS微顯示芯片應用、μLEDoS微顯示芯片技術路線、μLEDoS微顯示芯片技術挑戰(zhàn)，以及介紹三安光電μLEDoS微顯示芯片開發(fā)狀況。

Micro-LED 微顯示技術：高光效率、高對比度、長壽命、超高像素密度、超緊湊集成尺寸；可廣泛應用于近眼顯示、車載顯示、微投影、可穿戴設備、光通訊等領域；例如“元宇宙”概念持續(xù)火熱，AR智能眼鏡成為虛擬與現(xiàn)實相連的平臺入口，車載智能車燈成就尊享駕駛體驗，微投使投影場景更加豐富。預估至2026 年μLED AR 智能眼鏡顯示器芯片產值為 4100 萬美元（約 2.75 億元人民幣）；后期快速增長主要來自于紅光芯片、激光轉移、晶圓鍵合及全彩化等技術逐漸成熟。

當前，Micro-LED技術趨向半導體集成工藝。報告中還分享了Micro-LED微顯示芯片外延性能提升、Micro-LED微顯示芯片側壁損傷，Micro-LED微顯示芯片金屬鍵合，Micro-LED微顯示芯片檢測研究進展。其中，針對Micro-LED微顯示芯片金屬鍵合，報告指出，金屬鍵合過程，Au-х(Au、Sn、Ni、In)鍵合界面容易出現(xiàn)空洞，通過研究發(fā)現(xiàn)空洞形成與鍵合條件和金屬比例有很大關系，鍵合表面沾污將影響金屬之間的相互擴散，致使界面出現(xiàn)非均勻性的合金態(tài)產生界面缺陷，影響結合強度。因此，需要通過金屬比例、鍵合前等離子處理、鍵合條件綜合調整，達到較佳鍵合界面。

Micro-LED微顯示芯片檢測方面，單顆微顯示屏上Micro-LED數(shù)量達到幾十~幾百萬級，如何有效快速精準檢測是微顯示芯片量產化的重要挑戰(zhàn)，Demura檢測仍處初級階段：(1)推掃式高光譜儀分辨率不高，精準度不夠且速度慢；(2)高分辨率工業(yè)相機進行多次拍照比對，對相機幀率要求高(＞15幀)，數(shù)據(jù)處理量大，效率低。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）