9月6日，第三代半導體產業創新發展大會在南京市江寧開發區舉行。國家第三代半導體技術創新中心（南京）一期項目竣工投產。

國家第三代半導體技術創新中心（南京）主任陳辰介紹，經過摸底調研，該中心排出國家重點需求在新能源汽車、光伏、軌道交通、高壓輸變電、智能電網等五大跑道，確定了攻堅“新能源汽車用高電流密度高可靠碳化硅 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）產品”和“面向智能電網和高鐵應用的高壓大功率碳化硅電力電子器件”兩大方向，從碳化硅電力電子的基礎理論、材料生長、器件制備、系統應用等四個方面，聯合生態伙伴們一道攻關。

該中心一期項目依托中電集團55所原有廠房區域，以存量帶增量的方式，打造6英寸SiC（碳化硅）電力電子器件研發與中試平臺，在國內率先突破6英寸碳化硅MOSFET批量生產技術，形成具有自主知識產權的碳化硅器件技術體系。二期項目計劃于2024年開建，工廠將打造8英寸第三代半導體芯片制造、先進晶圓封裝、模塊封裝平臺。

活動現場集中簽約的10個項目，形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應用的產業鏈布局。

（來源：新江蘇·中國江蘇網）