2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會(huì)，第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國(guó)際博覽中心召開。其中，氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)分會(huì)作為重要分論壇，目前已經(jīng)確認(rèn)最新報(bào)告嘉賓正式出爐！

以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用。材料水平直接決定了器件的性能。對(duì)作為新材料的氮化鎵材料而言，尋找到更加合適的襯底是發(fā)展氮化鎵技術(shù)的重要目標(biāo)。氮化物襯底材料的生長(zhǎng)與外延非常重要。

據(jù)組委會(huì)透露，作為IFWS&SSLCHINA2022重要分會(huì)，氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)分會(huì)目前已經(jīng)確認(rèn)有來(lái)自美國(guó)斯坦福大學(xué)、日本國(guó)立物質(zhì)材料研究所、南京大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所、北京大學(xué)、奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司、北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司、武漢大學(xué)等科研機(jī)構(gòu)與知名企業(yè)專家代表共同參與，就氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)分享主題報(bào)告。

目前確認(rèn)報(bào)告嘉賓如下：(仍有部分嘉賓報(bào)告正在確認(rèn)中)：

Adding efficiency to electronics with III-Nitride technology

Srabanti CHOWDHURY——美國(guó)斯坦福大學(xué)電氣工程副教授

利用AlN傳導(dǎo)層在GaN襯底上外延生長(zhǎng)金剛石薄膜及其熱傳輸特性

桑立雯——日本國(guó)立物質(zhì)材料研究所獨(dú)立研究員

基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術(shù)

修向前——南京大學(xué)教授

平片藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長(zhǎng)

趙德剛——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員

TBD

王建峰——蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理

AlGaN基低維量子結(jié)構(gòu)外延和電導(dǎo)率調(diào)控研究

許福軍——北京大學(xué)物理學(xué)院副教授

PVT法同質(zhì)外延AlN生長(zhǎng)和p型摻雜面臨的挑戰(zhàn) 

吳亮——奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官

定量陰極發(fā)光CL技術(shù)在氮化物半導(dǎo)體中的應(yīng)用

劉兵武——北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司總經(jīng)理

無(wú)損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態(tài)熱反射技術(shù)

袁超-——武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員

High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication

王國(guó)斌——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院研發(fā)部負(fù)責(zé)人

部分嘉賓簡(jiǎn)介

Srabanti CHOWDHURY，美國(guó)斯坦福大學(xué)電氣工程副教授

修向前，南京大學(xué)教授。主要從事基于III族氮化物寬帶隙半導(dǎo)體襯底材料與設(shè)備以及III族氮化物納米結(jié)構(gòu)材料與器件等的研究和應(yīng)用。2017年，主持的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵裝備”獲得立項(xiàng)。近5年，主持/參與863計(jì)劃、973、國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目、江蘇省自然科學(xué)基金等項(xiàng)目共10余項(xiàng)。共發(fā)表SCI/EI等學(xué)術(shù)論文80余篇，其中SCI論文60余篇。已獲得授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利31項(xiàng)（第一發(fā)明人20余項(xiàng)），申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利30余項(xiàng)。編寫論著9章。相關(guān)研究成果“III族氮化物半導(dǎo)體極化和缺陷研究”獲得2010年度“高等學(xué)校科學(xué)研究?jī)?yōu)秀成果獎(jiǎng)（科學(xué)技術(shù)）”自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)，本人排名第二。研究方包括GaN基Ⅲ族氮化物的襯底材料生長(zhǎng)、性質(zhì)和器件研究；氫化物氣相外延設(shè)備研制與應(yīng)用；微納米氮化物半導(dǎo)體材料與器件研究。

趙德剛，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員、博士生導(dǎo)師、光電子研究發(fā)展中心主任，主要從事GaN基光電子材料生長(zhǎng)與器件研究，對(duì)材料生長(zhǎng)機(jī)理、材料物理、器件設(shè)計(jì)及器件物理有較深入的理解和認(rèn)識(shí)，解決了GaN材料大失配異質(zhì)外延技術(shù)等關(guān)鍵難題，研制出我國(guó)第一支GaN基紫外激光器、長(zhǎng)壽命大功率藍(lán)光激光器和紫外雪崩光電探測(cè)器，還在碳雜質(zhì)研究做出了系統(tǒng)性、創(chuàng)新性工作。主持和承擔(dān)了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、863、國(guó)家自然科學(xué)基金等多個(gè)項(xiàng)目，在Applied Physics Letters等著名學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表SCI論文270多篇，獲得國(guó)家發(fā)明專利30多項(xiàng)，撰寫中文、英文專著各一章。在GaN器件方面，設(shè)計(jì)出能夠監(jiān)測(cè)紫外波長(zhǎng)的新型器件，提出了利用紫外探測(cè)器的響應(yīng)光譜對(duì)p-GaN載流子濃度進(jìn)行測(cè)量的新方法；研究了p-GaN的歐姆接觸工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了良好的歐姆接觸特性，揭示了歐姆接觸、空位缺陷和碳雜質(zhì)對(duì)探測(cè)器的影響機(jī)理；研究了InGaN量子阱界面控制方法，分析了量子阱的電熒光光譜隨注入電流變化的機(jī)制，并提出了相應(yīng)的物理模型；提出了降低吸收損耗、抑制電子泄漏的多種激光器新結(jié)構(gòu)，闡述了V型缺陷和碳雜質(zhì)破壞發(fā)光器件性能的物理機(jī)制；研制出我國(guó)第一支GaN基紫外激光器、長(zhǎng)壽命大功率藍(lán)光激光器以及紫外雪崩光電探測(cè)器。

許福軍，北京大學(xué)物理學(xué)院副教授。主要研究領(lǐng)域?yàn)閷捊麕О雽?dǎo)體材料和器件物理。近年來(lái)主要開展AlGaN 基深紫外發(fā)光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低維量子結(jié)構(gòu)外延生長(zhǎng)、缺陷控制和AlGaN的電導(dǎo)率調(diào)控等方面開展了較系統(tǒng)的研究工作，在高質(zhì)量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高載流子濃度p型AlGaN方面均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，并在團(tuán)隊(duì)支撐下突破了高性能深紫外發(fā)光二極管（LED）器件研制的關(guān)鍵技術(shù)，正推動(dòng)科研成果落地付諸產(chǎn)業(yè)化實(shí)踐。近年來(lái)，作為負(fù)責(zé)人承擔(dān)國(guó)家自然科學(xué)面上基金3項(xiàng)；作為子課題負(fù)責(zé)人參與國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)、北京市科委重點(diǎn)項(xiàng)目1項(xiàng)，山東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)和廣東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)。迄今以一作/通訊作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共發(fā)表SCI 收錄論文30多篇，獲得/申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利10多件。 

吳亮，奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官。國(guó)際知名晶體生長(zhǎng)工藝與模擬仿真科學(xué)家，有近20年半導(dǎo)體、光伏及各種單晶生長(zhǎng)工藝研究、開發(fā)與研發(fā)領(lǐng)導(dǎo)經(jīng)驗(yàn)。曾供職于英特爾技術(shù)發(fā)展有限公司、比利時(shí)FEMAGSoft SA（高級(jí)研發(fā)工程師、駐北京首席代表等）、蘇州協(xié)鑫工業(yè)應(yīng)用研究院有限公司（副院長(zhǎng)，現(xiàn)協(xié)鑫中央研究院）、協(xié)鑫太陽(yáng)能材料有限公司（總工程師）等，現(xiàn)任奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司CEO。吳亮博士曾承擔(dān)日本、德國(guó)、比利時(shí)等多家世界500強(qiáng)企業(yè)或政府組織在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的專業(yè)化合作研究，申請(qǐng)/授權(quán)國(guó)內(nèi)國(guó)際專利50余項(xiàng)，在德國(guó)出版晶體生長(zhǎng)專著一部，發(fā)表各種期刊/會(huì)議論文及各種國(guó)際/國(guó)內(nèi)邀請(qǐng)報(bào)告100多篇/次）。 

袁超，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員，長(zhǎng)期從事寬禁帶器件表征和熱管理研究工作，在薄膜尺度熱反射表征方法(thermoreflectance)、聲子熱輸運(yùn)理論、以及(超)寬禁帶半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)等領(lǐng)域具有一定的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和科研特色。承擔(dān)多個(gè)國(guó)家/省部級(jí)重大戰(zhàn)略需求的縱向科研項(xiàng)目，迄今共發(fā)表國(guó)際SCI論文30余篇。長(zhǎng)期和國(guó)內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)合作，擁有豐富的產(chǎn)學(xué)研經(jīng)驗(yàn)。

桑立雯，日本國(guó)立物質(zhì)材料研究所獨(dú)立研究員。2010年畢業(yè)于北京大學(xué)，獲理學(xué)博士學(xué)位。2010年4月加入日本國(guó)立物質(zhì)材料研究所(National Institute for Materials Science)進(jìn)行博士后研究，2014年拿到該所終身職位，目前是該所國(guó)際納米材料研究中心(International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA),NIMS) 獨(dú)立研究者。2012年和2019年兩次獲得日本科學(xué)振興機(jī)構(gòu)(JST)杰出青年先驅(qū)計(jì)劃PRESTO，2017年獲得國(guó)際缺陷領(lǐng)域the James W. Corbet Prize，2022年獲得日本國(guó)家文部科學(xué)省科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域文部科學(xué)大臣若手科學(xué)者獎(jiǎng), 該獎(jiǎng)項(xiàng)是日本青年研究人員最高獎(jiǎng)。桑立雯研究員課題組主要從事III-V族氮化物界面調(diào)控及光電機(jī)械器件研究，已發(fā)表SCI論文110余篇，總引用次數(shù)2800余次(h指數(shù)26)，參與撰寫英文專著2部。

王建峰，蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理

 

劉兵武

劉兵武，北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司總經(jīng)理

王國(guó)斌

王國(guó)斌，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院研發(fā)部負(fù)責(zé)人

更多論壇信息

 更多論壇信息：

會(huì)議時(shí)間：2022年11月7日-10日

會(huì)議地點(diǎn)：中國(guó) - 蘇州 - 蘇州國(guó)際博覽中心G館

日程安排

注冊(cè)權(quán)益收費(fèi)表

備注：＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。

＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)，碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會(huì)。

＊SSLCHINA相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)，氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會(huì)。

*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包括：柔性顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)高峰論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、功率模塊與電源應(yīng)用峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、智慧照明設(shè)計(jì)與應(yīng)用峰會(huì)。

＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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