貝塔相氧化鎵（β-Ga₂O₃）作為超寬帶隙半導(dǎo)體在高壓功率器件、日盲和輻射探測等方面具有重要的應(yīng)用前景。對于高壓功率器件和粒子輻射探測器常常需要生長10μm以上的大厚膜外延層。在大厚度外延時需要保持一定的生長速度以提高生長效率。?

2025年2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與三安光電股份有限公司共同主辦，極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦，重慶郵電大學(xué)、重慶大學(xué)、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司等單位協(xié)辦。? ? ?

大連理工大學(xué)副教授張赫之受邀將出席論壇，并帶來《氧化鎵外延生長中擴展缺陷形成機制及其對功率器件影響》的主題報告，分享相關(guān)研究成果與進(jìn)展，涉及β-Ga₂O₃厚膜外延中缺陷擴展的研究等內(nèi)容，報告詳情，敬請關(guān)注！?

嘉賓簡介

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張赫之

大連理工大學(xué)副教授

張赫之，于法國巴黎十一大學(xué)獲得博士學(xué)位，師從Maria Tchernycheva研究員。2016年8月，加入瑞士聯(lián)邦理工大學(xué)(EPFL)，在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域研究專家Nicolas Grandjean教授研究組從事博士后研究員。現(xiàn)任大連理工大學(xué)集成電路學(xué)院副教授，主要事第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件的研究。工作成果多次發(fā)表在ACS applied material andinterface, Applied physics letter, Nanotechnology等高水平期刊上。?

“先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）”

“先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）”是由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動。CASICON 系列活動以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容。自活動啟動以來，足跡已走過南京、長沙、西安、深圳、成都、濟南、上海等城市，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)熱點，通過“主題會議+推薦展示”的形式，搭建了良好的交流平臺，促進(jìn)了參與各方交流合作，捕捉合作新機遇，發(fā)揮了重要的橋梁與聚合價值。

目前論壇組織正有序進(jìn)行中，論壇誠邀全產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家學(xué)者、企業(yè)、從業(yè)人士蒞臨現(xiàn)場交流研討、參觀&合作。日程安排及專家、報告人詳見下圖!