第三代半導(dǎo)體標準與檢測對于確保第三代半導(dǎo)體器件的質(zhì)量與可靠性和大規(guī)模應(yīng)用非常重要。近期，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

期間，由國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、深圳平湖實驗室協(xié)辦支持的“第三代半導(dǎo)體標準與檢測研討會”上，工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員雷志鋒,南京大學(xué)副研究員周峰，東南大學(xué)博士后李勝，廣東工業(yè)大學(xué)教授賀致遠，重慶大學(xué)教授曾正，清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司研發(fā)總監(jiān)孫博韜，忱芯科技（上海）有限公司總經(jīng)理毛賽君，深圳平湖實驗室失效分析首席專家何光澤等嘉賓們齊聚，共同探討第三代半導(dǎo)體標準與檢測相關(guān)的最新進展。工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員陳媛，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長高偉共同主持分會。

陳媛

工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員

高偉

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長

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雷志鋒

工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員

工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員雷志鋒做了“面向新能源應(yīng)用的電力電子器件大氣中子單粒子燒毀風(fēng)險評估技術(shù)”的主題報告，分享了電子電子器件應(yīng)用背景與風(fēng)險、大氣中子輻照地面評估技術(shù)、SiC晶閘管、IGBT等部分結(jié)果。報告指出，隨著新能源領(lǐng)域快速發(fā)展，電力電子器件使用激增，由大氣中子引起的失效風(fēng)險需要更加重視；大氣中子通量隨海拔高度增加顯著，航空、高海拔應(yīng)用等環(huán)境需要關(guān)注該風(fēng)險；硅基晶閘管、IGBT、SiC等器件大氣中子引起的失效率隨電壓增加指數(shù)增加，隨溫度升高會有減小。確定合適的降額使用條件尤其重要。利用新建成的與實際大氣中子環(huán)境能譜吻合的大氣中子平臺可以很好開展大氣中子引起的失效率定量評估。

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周峰

南京大學(xué)副研究員

南京大學(xué)副研究員周峰做了”面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體GaN應(yīng)用的紫外脈沖激光輻照實驗技術(shù)“的主題報告，分享了相關(guān)研究進展。報告指出，南京大學(xué)已建立GaN功率器件設(shè)計與流片能力，開展多輪4/6英寸流片工作，正在研制抗輻照GaN功率器件。在國內(nèi)多個輻照科學(xué)裝置中開展GaN器件輻照特性研究。研制的國際首支500V等級抗輻照GaN功率器件以及單粒子效應(yīng)研究成果在領(lǐng)域內(nèi)知名ISPSD和ICNS會議匯報。亟需發(fā)展能夠與重離子實驗互補，可以定位輻照損傷、開展動/靜態(tài)結(jié)合和統(tǒng)計性數(shù)據(jù)分析。GaN HEMT主要受到單粒子輻照效應(yīng)影響，是業(yè)內(nèi)公認宇航用GaN器件需要突破的難題。脈沖激光輻照可以用于模擬單粒子輻照電荷過程，成為輻照研究重要的研究手段。中國、美國、法國、俄羅斯等國內(nèi)外多個團隊開展硅基脈沖激光輻照實驗研究，如邏輯電路、功率電路等。

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李勝

東南大學(xué)博士后

《GaN HEMT功率器件壽命預(yù)測SPICE模型研究》

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賀致遠

廣東工業(yè)大學(xué)教授

廣東工業(yè)大學(xué)教授賀致遠做了“動態(tài)應(yīng)力下GaN功率器件閾值電壓不穩(wěn)定性機理研究”的主題報告，分享了動態(tài)柵極應(yīng)力下漂移現(xiàn)象及機理，阻性負載硬開關(guān)應(yīng)用下的漂移現(xiàn)象及機理等。報告指出，針對P-GaN柵結(jié)構(gòu)，動態(tài)柵應(yīng)力相對靜態(tài)柵應(yīng)力過程導(dǎo)致的閾值電壓漂移行為更為復(fù)雜，涉及到不同電壓（開啟或關(guān)斷）等級、工作頻率、占空比、dV/dt等參數(shù)影響；從機理層面來看，背靠背二極管的柵極結(jié)構(gòu)特性決定了相關(guān)電子、空穴在動態(tài)電場轉(zhuǎn)換過程中的俘獲、積累等再分布多個物理過程，造成柵級結(jié)構(gòu)綜合凈電荷不斷變化，影響最后的閾值電壓漂移行為；如何測試閾值電壓，尤其是要反映系統(tǒng)中GaN器件的真實閾值電壓情況，還需要綜合考慮應(yīng)用過程中的動態(tài)特性，制定較為全面的閾值電壓測試圖譜。

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曾正

重慶大學(xué)教授

重慶大學(xué)教授曾正做了“SiC功率器件開關(guān)動態(tài)測試方法十議：T/CASAS 033-2024標準解讀”的主題報告，分享了標準的詳細解讀。報告指出，精準、原位測試是SiC功率器件的共性需求。本質(zhì)性問題是高dv/dt，共識性問題是缺規(guī)范。

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孫博韜

清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司研發(fā)總監(jiān)

清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司研發(fā)總監(jiān)孫博韜做了“SiC MOSFET器件可靠性——標準驗證與失效機制”的主題報告，分享相關(guān)標準內(nèi)容解讀。報告指出，規(guī)模化背景下，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴展，器件潛能被逐步開發(fā)，行業(yè)對SiC MOSFET可靠性認知提升。SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)化的大背景下，應(yīng)用潛能被逐步開發(fā)更多的失效機制被識別，要求產(chǎn)品端的不斷迭代改進。標準為產(chǎn)品服務(wù)，需要獨立的可靠性研究，以指導(dǎo)研發(fā)。標準為應(yīng)用服務(wù)，需要確保評估方法的有效性及適用性。

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毛賽君

忱芯科技（上海）有限公司總經(jīng)理

忱芯科技（上海）有限公司總經(jīng)理毛賽君做了“SiC MOSFET標準體系符合性測試設(shè)備挑戰(zhàn)與整體解決方案”的主題報告，涉及SiC MOSFET 靜態(tài)測試系統(tǒng)，動態(tài)測試系統(tǒng)，動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)、HTFB（雙極退化）可靠性測試系統(tǒng)，無功/有功老化測試系統(tǒng)，KGD & WLR測試系統(tǒng)挑戰(zhàn)等。其中，動態(tài)可靠性測試以應(yīng)用為導(dǎo)向的SiC MOSFET 柵氧可靠性、閾值電壓漂移缺陷篩選，HTFB （雙極退化）可靠性涉及更窄的電流脈沖，更大的電流應(yīng)力。

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何光澤

深圳平湖實驗室失效分析首席專家

深圳平湖實驗室失效分析首席專家何光澤做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應(yīng)用”的主題報告，結(jié)合第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈與分析檢測應(yīng)用之關(guān)聯(lián)，第三代半導(dǎo)體功率器件分析流程，具體介紹了無損分析，電性失效分析 – 缺陷定位，物性失效分析–結(jié)構(gòu)與缺陷觀察等內(nèi)容。報告顯示，配備短波長的EMMI、高壓(3KV)的OBIRCH與thermal emission是第三代半導(dǎo)體功率器件失效分析缺陷定位不可或缺的儀器，增加了亮點偵測的效率。SEM, FIB與TEM是結(jié)構(gòu)觀察的三個基本工具，對于工藝研發(fā)占有舉足輕重的地位，若是需要判斷原子級別，則球差TEM是必備的設(shè)備。若是得觀察SiC的PN結(jié)，傳統(tǒng)的SEM以外，F(xiàn)IB與SCM也是另外的選項。SIMS在縱深摻雜濃度的檢測是唯一的選擇，與結(jié)構(gòu)觀察同等重要。表面分析、污染分析、化學(xué)態(tài)鑒定、晶向與晶粒觀察，位錯觀察、應(yīng)力分析等等，不同的分析場景就需應(yīng)用不同的材料分析工具，分析者需確認材料的元素、分子、結(jié)構(gòu)、樣品狀態(tài)，觀察范圍來選擇適合的工具，并充分與各領(lǐng)域?qū)＜矣懻摵?，才能提供最適合的方案。?

【報告人簡介】

雷志鋒　研究員工業(yè)和信息化部電子第五研究所工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員，電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)國家級重點實驗室 可靠性試驗研究室主任，輻射效應(yīng)團隊技術(shù)總師，長期從事電子產(chǎn)品可靠性及輻射環(huán)境效應(yīng)基礎(chǔ)和工程技術(shù)應(yīng)用研究工作。作為項目負責(zé)人先后承擔 “核高基”國家重大專項、國家自然科學(xué)基金、預(yù)研、共性技術(shù)等國家及省部級課題20余項，參與百余項國產(chǎn)器件的評估和檢測，參與多個國家重大工程中的可靠性工程技術(shù)工作。IEEE TNS、IEEE TED、物理學(xué)報等期刊審稿人，先后發(fā)表SCI/EI論文60余篇，申請國家發(fā)明專利20項，獲省部級獎3項。

周　峰　副研究員南京大學(xué)南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副研究員、博士，從事第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件與電路應(yīng)用研究，主持國家科技重大專項課題、國家自然科學(xué)基金、江蘇省重點研發(fā)計劃項目課題等，第一/通信（含共同）作者發(fā)表論文30余篇，包括Nature Communications, Appl. Phys. Lett., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans Power Electron., IEEE Trans. Electron Dev., IEEE IEDM/ISPSD等領(lǐng)域內(nèi)權(quán)威期刊或會議，擔任多個期刊審稿人，申請發(fā)明專利30余項，包括中國/美國/日本專利。

李　勝　博士后 東南大學(xué)東南大學(xué)至善博士后，香港科技大學(xué)訪問學(xué)者。博士畢業(yè)于東南大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，獲江蘇省優(yōu)秀博士學(xué)位論文、中國電子學(xué)會優(yōu)秀博士學(xué)位論文、東南大學(xué)優(yōu)秀博士學(xué)位論文。長期從事氮化鎵功率半導(dǎo)體器件、可靠性及模型的研究工作，發(fā)表IEEE TIE、IEEE TPEL、IEEE TED、IEEE IEDM等權(quán)威期刊及國際會議論文30余篇；獲美國專利1項、中國發(fā)明專利15項，日內(nèi)瓦國際發(fā)明展銀獎1項，出版專著1部；主持國家自然科學(xué)基金、中國博士后科學(xué)基金等項目5項，作為技術(shù)骨干參與國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金面上項目、江蘇省杰青等項目多項。獲江蘇省“卓越博士后”、江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院“集萃博士后”支持。

賀致遠 教授廣東工業(yè)大學(xué)工學(xué)博士、教授、碩士生導(dǎo)師，擔任IEC TC47/SC47E/WG3（功率器件）國內(nèi)技術(shù)對口工作組專家，第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟GaN功率器件標準化工作組專家。主要從事硅基及寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的結(jié)構(gòu)仿真設(shè)計、制備工藝開發(fā)、封裝及可靠性評估、檢測設(shè)備開發(fā)等研究；主持了國家重點研發(fā)計劃子課題、國家自然科學(xué)基金青年基金、國防基礎(chǔ)科研計劃、廣東省自然科學(xué)基金等7項國家級、省部級項目。目前已發(fā)表SCI論文30余篇，授權(quán)發(fā)明專利10余項，編制標準2項。

曾　正　教授重慶大學(xué)教授/博導(dǎo)，國家級高層次青年人才，長期從事碳化硅功率器件的封裝測試研究。2014年博士畢業(yè)于浙江大學(xué)，2018-2019年在新加坡南洋理工大學(xué)從事博士后研究，主持國家級項目6項、其他項目14項，出版學(xué)術(shù)專著2部，擔任6個學(xué)術(shù)組織的理事/委員，牽頭/參與制定國家標準1項、團體標準3項，入選第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟“卓越創(chuàng)新青年”、愛思唯爾中國高被引學(xué)者、斯坦福全球前2%頂尖科學(xué)家、重慶市青年拔尖人才等榮譽稱號，獲得教育部自然科學(xué)一等獎等科技獎勵。

孫博韜　研發(fā)總監(jiān)清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司博士，清純半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)，高級工程師，曾入選2020年北京市科技新星計劃。在Si基、SiC基功率器件開發(fā)，微電子工藝及可靠性研究在功率器件研發(fā)方面具有15年以上經(jīng)驗，曾主持裝發(fā)項目多項，參與重點研發(fā)計劃、01、02重大專項等項目近40項，申請專利超過40件，其中第一發(fā)明人授權(quán)專利16項，SCI論文多篇，多項成果列入北京市高新技術(shù)成果轉(zhuǎn)化項目。

毛賽君　總經(jīng)理忱芯科技（上海）有限公司博士，忱芯科技(上海)有限公司創(chuàng)始人，入選上海市浦江人才計劃，IEEE高級會員，獲教育部國家留學(xué)基金委頒發(fā)的“國家優(yōu)秀留學(xué)生獎學(xué)金”，曾擔任復(fù)旦大學(xué)研究員，博士研究生導(dǎo)師，曾在GE全球研究中心工作10余年，獲“GE個人技術(shù)卓越成就獎”等10余項GE重大獎項，研究領(lǐng)域主要集中在碳化硅功率半導(dǎo)體器件精準測試與特性表征與高頻電力電子系統(tǒng)集成與產(chǎn)業(yè)化，發(fā)表國際、國內(nèi)論文60余篇，獲得60余項國際、國內(nèi)發(fā)明專利與申請。

何光澤　失效分析首席專家深圳平湖實驗室何光澤于1997獲得臺灣中央大學(xué)電機系學(xué)士與電機所固態(tài)組碩士學(xué)位，工作初期在茂硅與聯(lián)電負責(zé)良率提升與失效分析的事務(wù)，在樣品化學(xué)處理、缺陷定位與電鏡觀察上有豐富的經(jīng)驗。2015進入第三方分析檢測實驗室閎康科技，并于后期擔任失效分析處長一職，總管兩岸失效分析與靜電測試之業(yè)務(wù)，在閎康科技期間，發(fā)表了5篇國際論文，同時也擔任臺灣靜電學(xué)會議程委員與臺灣電路板協(xié)會半導(dǎo)體構(gòu)裝委員會委員。何光澤于2024年加入深圳平湖實驗室擔任失效分析首席專家，負責(zé)分析檢測中心的管理運作。

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）??