Micro-LED 被視為繼LCD 和 OLED 之后的新一代革命性顯示技術。其具有自發(fā)光、高效率、低功耗、高集成、高穩(wěn)定性、全天候工作的優(yōu)點，被認為是最有前途的下一代新型顯示與發(fā)光器件之一。
近日，由蘇州實驗室、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯盟（CSA）主辦的第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。
席光義
元旭半導體科技股份有限公司董事會主席兼CEO
期間，“Mini/Micro-LED技術產業(yè)應用峰會”上，元旭半導體科技股份有限公司董事會主席兼CEO席光義做了“從芯到屏 智顯未來——開啟Micro-LED智慧顯示時代”的主題報告，分享了Micro-LED顯示技術的機遇、挑戰(zhàn)與創(chuàng)新方向。
Micro-LED是第三代半導體光電子領域中的重中之重。主要應用于消費電子領域，包括高清顯示屏/電視、AR/VR設備等。隨著技術的不斷成熟和成本的逐步下降，Micro-LED有望在更多領域得到應用。新型LED顯示產品進入商業(yè)化階段，性價比快速提升。MicroLED芯片開發(fā)對降本和性能提升意義重大。?
隨著P1.5以下產品的滲透以及Micro-LED的市場熱度，COB的市場占有率也在逐漸提高，品牌活躍度不斷提高，未來呈快速增長之勢。受技術突破、成本降低、產業(yè)鏈進步等因素的推動下，LED顯示向集成化方向發(fā)展，預計MicroLED在未來三年出現重大進步。Micro-LED關鍵技術突破后，將進入Micro-LED集成顯示時代。“性能提升+成本下降”成為產業(yè)發(fā)展驅動力。?
報告中分享了激光剝離技術、巨量轉移技術、Micro-LED燈驅一體有源驅動技術等多項技術趨勢。Micro LED顯示擁有優(yōu)越的性能，但是在技術層面還有待突破，其中一項關鍵技術是外延襯底的剝離。基于GaN發(fā)光材料的Micro LED芯片，由于GaN與藍寶石晶格失配度較低且價格低廉，所以藍寶石襯底成為外延生長GaN材料的主流襯底。但是，藍寶石襯底的不導電性、差導熱性影響著Micro LED器件的發(fā)光效率;同時，脆性材料藍寶石不利于Micro LED在柔性顯示方向的運用，基于以上原因及MicroLED顯示本身分辨率高、亮度高、對比度高等優(yōu)勢特點，激光剝離藍寶石是必要且關鍵的環(huán)節(jié)，且激光剝離技術更能凸顯Micro LED的優(yōu)勢。激光剝離環(huán)節(jié)實質上是一個單脈沖掃描的過程，利用高能脈沖激光束穿透藍寶石基板，因此對激光束的均勻度和穩(wěn)定性有極高的要求，目前全球擁有該項技術并能用于穩(wěn)定生產的企業(yè)不多。?
巨量轉移技術將助MIP技術路線走向量產，巨量轉移技術是一種專門用于Micro-LED顯示技術中的關鍵步驟，旨在將大量微小的LED芯片從生長基板高效、精確地轉移到目標驅動基板上，以構建高密度、高質量的顯示陣列。巨量轉移技術的發(fā)展對Micro-LED顯示技術的商業(yè)化進程具有深遠影響。通過提高轉移效率和良率，降低生產成本，Micro-LED技術將更具市場競爭力。?
Micro-LED顯示技術有無源驅動(PM)和有源驅動(AM)兩種驅動方式。驅動方式不同，Micro-LED像素單元驅動電路的結構也不同。由于無源驅動采用掃描的方式，每一個時刻內僅有一行像素在發(fā)光，占空比較小且瞬時亮度高，存在掃描線。而采用有源驅動方式時各像素獨立可控，是未來Micro-LED技術進步的方向。在有源驅動電路中，每一個Micro-LED像素都有各自獨立的驅動電路，雙晶體管單電容2T1C電路是最基本的有源矩陣驅動電路。有源驅動方式克服了像素在掃描時存在的串擾問題，讓像素單元有更長的點亮時間，使Micro-LED顯示器擁有更高的顯示亮度。
目前，元旭半導體以自研Micro-LED顯示芯片和先進集成封裝技術作為強支撐，聚焦于新一代智慧顯示產品的設計與創(chuàng)新，形成從Micro-LED顯示芯片、先進集成封裝到新一代智慧顯示產品的垂直整合智造，在成本控制和產品性能特征方面實現跨越式提升。元旭半導體Micro-LED顯示面板產品廣泛應用于大型會議中心、商業(yè)顯示、XR虛擬拍攝、家庭影院等新型智慧顯示領域。?
元旭半導體持續(xù)深化"從芯到屏"的一站式產業(yè)化戰(zhàn)略布局，核心優(yōu)勢在于半導體領域的深厚研發(fā)實力和產業(yè)鏈的全面整合，在芯片設計、微型化薄膜芯片、巨量轉移、超高精度布線、先進集成封裝等方面積累了豐富經驗，確保產品的卓越性能和穩(wěn)定性。在"自主性研發(fā)+智能化生產"雙重核心能力的驅動下，元旭半導體逐步構建起從MicrO-LED顯示芯片、先進集成封裝到新一代智慧顯示產品的垂直整合智造體系，大力推動MicrO-LED產業(yè)走進商業(yè)顯示及家用領域。?
資料顯示，元旭半導體無錫研發(fā)基地面積為6000平方米，定位于研發(fā)中心&一期智能化制造中心。涵蓋芯片設計、微型化薄膜芯片、巨量轉移、超高精度布線、先進集成封裝等多項關鍵顯示技術環(huán)節(jié)。?其Micro-LED集成光電子天津超級工廠總面積為40000平方米，涵蓋2000 平方米百級凈化車間:14000平方米千級、萬級凈化車間;8000平米顯示屏校正測試、組裝車間。天津超級工廠全面集成晶圓材料、芯片設計、芯片制造、芯片封裝和測試等全產業(yè)鏈環(huán)節(jié)，重點開展第三代半導體Micro-LED集成光電子整合智造業(yè)務，年產值約達10億元。?
（根據現場資料整理，僅供參考）