?年度第三代半導體行業盛會，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）11月19日在蘇州開幕。?大會為期三天，除重量級全天開幕大會外，三天時間里，論壇精彩內容持續展開，內容飽滿，全面覆蓋半導體照明和第三代半導體及相關領域的前沿熱點、技術應用、產業趨勢。同期，第六屆先進半導體技術應用創新展（CASTAS），全鏈條聚焦第三代半導體產業發展，活動精彩紛呈。
19-20日，九場技術分會，四場產業峰會，以及“強芯沙龍·會客廳”三大主題三場對話，火力全開，百余位專家分享精彩主題內容。
九場技術分會 百余位專家 追蹤前沿進展脈動走向
第三代半導體在諸多領域中扮演著重要角色，應用需求的擴展，也對第三代半導體技術提出了更高的要求，推動技術不斷進行技術創新和突破。第三代半導體技術正快速發展中，顯著進步的同時也面臨著挑戰。,
20日，九場技術分會，來自產業鏈不同環節的百余位專家分享精彩報告，全面追蹤第三代半導體產業鏈技術前沿進展趨勢，把握全球技術脈動走向。
?
超寬禁帶半導體技術分會I /II現場
其中，超寬禁帶半導體技術分會I /II 上，20個主旨報告，圍繞氧化鎵和氮化鋁、氧化鎵高導熱異質集成射頻器件、氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件、Ga?O?氣體傳感器、氧化鎵PECVD外延生長、金剛石襯底和器件、六角氮化硼薄膜制備、GaN HEMT應用、金剛石輻射探測器級材料制備和器件性能等主題內容展開探討。?
?
碳化硅功率器件及其封裝技術分會現場
碳化硅功率器件及其封裝技術分會，12個主旨報告，探討SiC 功率 MOSFET老化檢測、寬禁帶器件高溫高可靠封裝技術、高可靠SiC MOSFET管芯、SiC MOSFET 微型化、高性能AlN陶瓷基板及金屬化技術、大功率碳化硅MOSFET模塊研制、SiC基電力電子及射頻芯片技術、碳化硅超級結功率器件技術、SiC功率器件的光激發等技術進展。
??
氮化鎵功率電子器件技術分會I現場
氮化鎵功率電子器件技術分會I，8個主旨報告，重點探討硅基和氮化鎵基功率半導體的輻射效應，GaN p-MISFET先進制造技術、垂直結構GaN、Si基GaN器件及系統、6英寸GaN/Si CMOS 1P2M單片異質集成整套芯片工藝、GaN HEMT人工神經網絡物理模型等主題。
?
碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術分會現場
碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術分會，8個主題報告，重點關注SiC單晶的坩堝結構及PVT生長工藝條件，碳化硅單晶缺陷研究，SiC功率器件的裝備與工藝、硅晶圓廠中的SiC制造、化合物半導體外延大規模量產、用于SiC功率器件外延生長的CVD設備、大直徑碳化硅外延等相關技術進展。
?
氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術分會現場
氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術分會上，11個主題報告，圍繞氮化鋁基半導體材料及器件、氮化鋁單晶材料、AlN基高壓高頻功率器件、硅襯底GaN基光電材料外延、氮化鎵基光電子及功率器件、氨熱法氮化鎵單晶生長、大尺寸氮化鎵單晶生長、高溫PVD氮化鋁緩沖層技術、等離子體輔助分子束外延生長AlN薄膜等相關技術展開深入的分享探討交流。
?
氮化鎵射頻電子器件分會現場
氮化鎵射頻電子器件分會上，10個主旨報告，圍繞下一代高端生態半導體、移動終端射頻功放應用、面向6G和Wi-Fi 7 的高頻和寬帶射頻濾波器、同質外延氮化鎵射頻電子器件、特色射頻半導體、藍寶石上AlGaN/GaN異質結雙極晶體管、微波無線能量收集、大功率微波限幅器等技術主題展開探討。
?
光醫療技術創新應用論壇現場
光醫療技術創新應用論壇上，7大主旨報告，重點探討光學技術糖足微循環監測與干預應用、全色域光源光療愈應用，公共場所空氣現場消毒技術、光醫療領域應用、LED可穿戴醫療中技術等創新應用相關的最新進展。
?
LED健康照明與光品質技術論壇現場
LED健康照明與光品質技術論壇上，11個主旨報告，圍繞基于視錐響應的光度學與色度學、人因+智慧 全齡健康照明、光源質量與照明設計、特種照明、光照環境非視覺效應計算、光生物影響研究等技術深入交流探討。?
四大產業峰會 聚焦熱點應用進展
當前，第三代半導體產業駛入發展“快車道”，第三代半導體材料、器件正在快速實現從技術研發到規模化量產，技術進步和市場需求的雙重驅動下，其發展前景非常樂觀。不同領域的應用規模不斷增長，前景看好。?
19-20日，第四屆車用半導體創新合作峰會、智慧照明設計及應用創新峰會、Mini/Micro-LED技術產業應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會等四大產業峰會圍繞著當前第三代半導體幾大熱點應用領域，來自重點企業、實力派專家齊聚，展開重點探討，互通信息，分享交流，共謀商機。
?
第四屆車用半導體創新合作峰會現場
電動汽車和智能網聯汽車的普及，對高性能半導體芯片的需求大幅增加。新能源汽車的普及也推動了車用半導體市場的擴展?，對半導體的需求量大幅增加。第四屆車用半導體創新合作峰會上，來自安世半導體、株洲中車時代、士蘭微電子、芯聚能、英飛凌、長城汽車等代表性企業的實力派嘉賓們，重點分綠色出行和綠色能源發展、軌道交通、新一代主驅應用、車規SiC產品與應用、國產化芯片等相關領域，第三代半導體技術的機遇與挑戰。
智慧照明設計及應用創新峰會現場
消費者對照明的智能化和高端化需求不斷增加?，智慧照明在智慧城市建設和智能家居領域發揮重要作用。智慧照明設計及應用創新峰會上，實戰派的專家們圍繞著居住空間中照明、DALI 數字化演化進程和商用照明、智慧桿站和戶外照明的數智化發展、健康光與自然光的擬合算法及應用、智能照明與健康等主題展開交流探討。
?
Mini/Micro-LED技術產業應用峰會現場
Mini LED和Micro LED技術在高端顯示領域占據重要地位，并且隨著技術的不斷成熟和成本的降低，市場份額將進一步擴大，成為未來顯示技術的主流趨勢。Mini/Micro-LED技術產業應用峰會上，產業鏈不同環節代表性專家們，圍繞著MicroLED的量產策略、Micro-LED智慧顯示、顯示用Micro-LED芯片與集成技術、 0.18cc全彩Micro-LED光機、多元Mini-LED顯示技術、玻璃基TFT Micro-LED拼接屏、無損Micro-LED芯片技術、CSP芯片級封裝在Mini-LED背光中的應用，微納光學器件制造、先進半導體鍵合集成技術等展開深入的交流探討。?
?
第三代半導體標準與檢測研討會現場
科學的檢測標準和方法對于推動產業高質量發展、保障產品質量和可靠性、促進技術創新和應用、提升市場信任以及支持國家戰略需求具有重要意義。第三代半導體標準與檢測研討會上，來自相關科研機構、企業的專家們，分享探討了面向寬禁帶半導體GaN應用的紫外脈沖激光輻照實驗技術、GaN HEMT功率器件壽命預測SPICE模型研究、動態應力下GaN功率器件閾值電壓不穩定性機理研究、基于SiC MOSFET可靠性標準的產品驗證與失效機制、面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術等研究內容和進展。
?
《強芯沙龍·會客廳》現場
此外，作為論壇同期重要配套活動之一，《強芯沙龍·會客廳》首次線下開展，20-21日，將連開四場，并特邀四位第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長坐鎮主持，圍繞海外業務拓展與貿易風險、投融資與信貸、知識產權與專利運營、平臺建設與人才培養四大主題展開探討。采用線上同步直播，線上線下聯動的方式互動，大咖面對面，精彩主題報告及高質量對話，共議產業發展痛點，尋求破解之道。?
20日的會客廳主題探討中，“海外業務拓展與貿易風險”主題環節，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長馮亞東主持下，經濟學人智庫高級經濟學家徐天辰，馬來西亞投資發展局(MIDA) 上海辦公室主任Steven Cheng
?
，馬來西亞雪蘭莪州CSSB-CEOEn. Mohd Zapi，上海特易信息科技有限公司副總經理馬愛玲等嘉賓，圍繞著“出海”重點，分享主題報告，展開深度對話。?
在“投融資與信貸”主題環節，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長耿博主持下，中科創星董事總經理張思申，中信銀行蘇州分行投資銀行部主管李夢龍，元旭半導體科技股份有限公司董事長助理楊帆，芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司執行總監韓躍斌等專家、企業代表參與主題分享和深度對話。?
在“知識產權與專利運營”主題環節，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長高偉主持下，北京熙說信息科技有限公司博士、研究員馬志勇，北京北方華創微電子裝備有限公司合規副總裁宋巧麗，北京芯創智源知識產權咨詢服務有限公司咨詢業務總監徐俊，天啟黑馬信息科技有限公司資深檢索分析師張縱縱等專家，等圍繞著知識產權的風險與應對相關內容，參與主題分享與深度對話。
本屆論壇為期三天，21日精彩內容將繼續展開，將有九場專題活動，百余位專家，聚焦技術創新及產業化應用熱點動向，第六屆先進半導體技術應用創新展（CASTAS）同期火熱進行中，敬請關注！