?2024年11月19日，由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦的第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州盛大開幕，院士領(lǐng)銜，來自產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的超千人代表出席了開幕大會(huì)。開幕式上，舉行了一系列活動(dòng)，2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展正式揭曉，備受關(guān)注。
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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)委員吳玲發(fā)布2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展。
2024年，我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展日新月異。在快速變化的浪潮中，為了更好的把握行業(yè)前沿、凸顯具有影響力和突破性的進(jìn)展，為行業(yè)發(fā)展提供清晰視角，激勵(lì)更多創(chuàng)新，大會(huì)程序委員會(huì)倡議，啟動(dòng)2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展評(píng)選活動(dòng)，截止11月10日通過自薦、推薦和公開信息整理等途徑，共收到備選技術(shù)39項(xiàng)，經(jīng)程序委員會(huì)投票、綜合評(píng)議最終確定10項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展。
第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)正飛速發(fā)展，也為業(yè)界帶來了黃金機(jī)遇。技術(shù)突破將帶來性能卓越的產(chǎn)品，產(chǎn)業(yè)發(fā)展將催生大量合作，助力開拓出更多的新興市場(chǎng)。?
附：2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展
（一）6-8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵中高壓電力電子器件技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破
?西安電子科技大學(xué)廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心團(tuán)隊(duì)成功攻克了6-8英寸藍(lán)寶石基GaN電力電子器件的外延、設(shè)計(jì)、制造和可靠性等系列難題；
?提出了新型低翹曲超薄外延異質(zhì)結(jié)構(gòu)和Al2O3/SiO2復(fù)合介質(zhì)鈍化方法，實(shí)現(xiàn)1200V和1700 V高性能 GaN HEMT中試產(chǎn)品開發(fā)；
?通過HTRB、HTGB等可靠性評(píng)價(jià)，成果應(yīng)用于致能科技等公司系列產(chǎn)品中，顯著推動(dòng)藍(lán)寶石基GaN成為中高壓電力電子器件方案的有利競(jìng)爭(zhēng)者。
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（二）垂直注入鋁鎵氮基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備
?針對(duì)深紫外LED電光轉(zhuǎn)換效率低下的難題，北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)提出了一種基于GaN/藍(lán)寶石模板的深紫外LED制備新技術(shù)路線；
?通過高Al組分AlGaN層預(yù)置裂紋，實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)層與GaN層的應(yīng)力解耦，得到表面無裂紋的深紫外LED晶圓，同時(shí)預(yù)置裂紋可有效緩沖剝離過程中的局部應(yīng)力。
?該技術(shù)路線充分利用了Ga金屬滴在激光剝離過程中為液態(tài)的優(yōu)點(diǎn)，采用常規(guī)的355 nm短波長激光器實(shí)現(xiàn)了深紫外LED外延結(jié)構(gòu)2-4英寸晶圓級(jí)無損傷剝離；
?并成功制備出垂直注入器件，200 mA注入電流下，發(fā)光波長280 nm的深紫外LED光輸出功率達(dá)65.2mW。相關(guān)成果發(fā)表于《Nature Communications》上。
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（三）基于銦鎵氮紅光Micro-LED芯片的全彩顯示技術(shù)
?南京大學(xué)、廈門大學(xué)、合肥工業(yè)大學(xué)和沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)聯(lián)合攻關(guān)氮化鎵基高銦組分紅光材料及其Micro-LED器件技術(shù)；
?采用分子束外延制備出高電注入效率的隧道結(jié)紅光Micro-LED器件。相關(guān)成果發(fā)表在《Applied Physics Letters》上，并選為Editor’s Pick。
?進(jìn)一步與天馬微電子公司合作，研制出國際上第一塊基于銦鎵氮基紅綠藍(lán)Micro-LED芯片的1.63寸、像素密度達(dá)403 PPI的TFT驅(qū)動(dòng)全彩顯示屏，完成了Micro-LED全彩顯示方案的新技術(shù)驗(yàn)證。
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（四）高功率密度、高能效比深紫外Micro-LED顯示芯片
?香港科技大學(xué)、南方科技大學(xué)、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、思坦科技等單位通過長期聯(lián)合攻關(guān)，基于高功率密度、高像素密度、低功耗的深紫外Micro-LED顯示芯片實(shí)現(xiàn)了深紫外Micro-LED無掩膜光刻技術(shù)；
?搭建了無掩膜光刻原型機(jī)平臺(tái)并制備首個(gè)深紫外Micro-LED無掩膜曝光的Micro-LED器件，將紫外光源和掩膜板圖案融為一體，在短時(shí)間內(nèi)為光刻膠曝光提供足夠的輻照劑量，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展開創(chuàng)了一條新路徑，相關(guān)成果發(fā)表在《Nature Photonics》。
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（五）氮化鎵缺陷引起的局域振動(dòng)的原子尺度可視化
?針對(duì)氮化物半導(dǎo)體與缺陷相關(guān)的局域振動(dòng)模難以分析表征的問題，北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)與美國橡樹嶺國家實(shí)驗(yàn)室合作，使用掃描透射電子顯微鏡-電子能量損失譜技術(shù)，結(jié)合高角環(huán)形暗場(chǎng)成像及EELS譜與第一性原理計(jì)算，精確識(shí)別了氮化鎵中層錯(cuò)缺陷的原子結(jié)構(gòu)，并觀測(cè)到相關(guān)的三種聲子振動(dòng)模式：局域缺陷模式、受限體模式和完全擴(kuò)展模式。
?相關(guān)研究實(shí)現(xiàn)了氮化物半導(dǎo)體中缺陷相關(guān)的聲子模式分辨，并為氮化物半導(dǎo)體器件的熱管理技術(shù)發(fā)展提供了新的思路。相關(guān)成果發(fā)表在《Nature Communications》上。
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（六）千伏級(jí)氧化鎵垂直槽柵晶體管
?中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)團(tuán)隊(duì)針對(duì)氧化鎵缺乏有效p型摻雜導(dǎo)致難以實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型垂直結(jié)構(gòu)晶體管的難題，通過優(yōu)化后退火工藝實(shí)現(xiàn)氮替位激活和晶格損傷修復(fù)；
?研制出千伏級(jí)氧化鎵垂直槽柵晶體管，為實(shí)現(xiàn)面向應(yīng)用的高性能氧化鎵晶體管提供了新思路。該成果發(fā)表于第36屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路會(huì)議，并獲得了大會(huì)唯一最佳海報(bào)獎(jiǎng)。
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（七）2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化
?西安交大研究團(tuán)隊(duì)采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底的國產(chǎn)化。
?通過對(duì)成膜均勻性、溫場(chǎng)及流場(chǎng)的有效調(diào)控，提高了異質(zhì)外延單晶金剛石成品率。襯底表面具有臺(tái)階流生長模式，可降低襯底的缺陷密度，提高晶體質(zhì)量。XRD（004）、（311）搖擺曲線半峰寬分別小于91弧秒和111 弧秒，為金剛石的半導(dǎo)體應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
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（八）8英寸碳化硅材料和晶圓制造實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破
?成本與有效產(chǎn)能是阻礙碳化硅進(jìn)入大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵性問題，從6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型升級(jí)已成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大勢(shì)所趨。
?國內(nèi)多家材料企業(yè)實(shí)現(xiàn)8英寸產(chǎn)業(yè)化技術(shù)突破，形成供貨能力。
?國內(nèi)8英寸碳化硅晶圓制造線工藝技術(shù)通過產(chǎn)品流片驗(yàn)證，正式開啟碳化硅8英寸進(jìn)程。
（九）國產(chǎn)車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET器件實(shí)現(xiàn)新能源汽車電驅(qū)應(yīng)用
?實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)碳化硅材料、器件設(shè)計(jì)、工藝加工和模塊封裝全鏈條技術(shù)突破，關(guān)鍵指標(biāo)對(duì)標(biāo)國外量產(chǎn)產(chǎn)品典型技術(shù)水平。
?采用國產(chǎn)碳化硅MOSFET的電驅(qū)系統(tǒng)通過汽車企業(yè)驗(yàn)證，應(yīng)用數(shù)量超千臺(tái)。
（十）氮化鎵基藍(lán)光激光器關(guān)鍵技術(shù)取得產(chǎn)業(yè)化突破
?氮化鎵基藍(lán)光激光器關(guān)鍵技術(shù)取得產(chǎn)業(yè)化突破：氮化鎵單晶襯底形成以中科院蘇州納米所、南京大學(xué)、蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特等為代表的產(chǎn)學(xué)研方陣，產(chǎn)品達(dá)到國際先進(jìn)水平，國產(chǎn)化率達(dá)到50%以上；
?蘇州鎵銳、颶芯科技、三安光電等均推出藍(lán)光激光器產(chǎn)品，室溫連續(xù)工作3安培電流下光功率5瓦，WPE效率超過41%，60度條件下加速老化外推壽命大于2萬小時(shí)。
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