天眼查顯示，杭州士蘭微電子股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“MEMS器件及其制造方法”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)為CN109650326B，授權(quán)公告日為2024年10月11日，申請(qǐng)日為2018年12月27日。

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種MEMS器件及其制造方法。該制造方法包括在第一襯底上形成犧牲層；在犧牲層上形成質(zhì)量塊；去除部分質(zhì)量塊形成第一凹槽；經(jīng)由第一凹槽去除部分犧牲層形成到達(dá)第一襯底的表面的空腔；在質(zhì)量塊上形成第一鍵合區(qū)；形成保護(hù)膜，保護(hù)膜覆蓋第一鍵合區(qū)、質(zhì)量塊與第一襯底的表面以及第一凹槽的側(cè)壁；以及去除部分保護(hù)膜，其中，在去除保護(hù)膜的步驟中，位于第一凹槽的側(cè)壁的保護(hù)膜、位于質(zhì)量塊與第一襯底相對(duì)的表面的保護(hù)膜以及位于第一襯底表面的保護(hù)膜因被質(zhì)量塊遮擋而被保留。該制造方法在去除保護(hù)膜的步驟中，清潔第一鍵合區(qū)上的保護(hù)膜，達(dá)到了提高封裝質(zhì)量的目的。