研究背景
二維材料LED是一類基于二維過渡金屬二硫屬化合物（TMDs）的發光器件，因其在顯示和光通信等領域的潛在應用而備受關注。與傳統的體相半導體材料相比，二維材料具有量子限域效應和介電屏蔽效應減弱等特點，使其在納米級光電器件設計中具有出色的性能。然而，二維材料LED在高激子生成率下易出現激子–激子湮滅（EEA）效應，這導致量子效率的迅速下降，成為該材料應用于高性能發光器件的一大挑戰。
鑒于此，東南大學章琦，呂俊鵬以及倪振華等人攜手在“Nature Electronics”期刊上發表了題為“Light-emitting diodes based on intercalated transition metal dichalcogenides with suppressed efficiency roll-off at high generation rates”的最新論文。該團隊通過氧等離子體插層的方式，制備了基于少層二硫化鉬（MoS2）和二硫化鎢（WS2）的脈沖發光二極管（LED）。這種氧插層工藝成功地在層間插入氧原子，使得緊密堆疊的少層結構形成類量子阱的超晶格結構，從而抑制了激子–激子相互作用，并提高了發光亮度。利用插層后的少層TMDs器件，顯著提高了量子效率，實現了在高激子生成率下無效率下降的電致發光。通過光譜測量，研究人員發現，插層工藝降低了激子玻爾半徑和擴散系數，從而有效抑制了EEA效應。
該研究展示了基于插層TMDs的新型LED在發光性能上的提升，在高激子生成率約1020 cm−2 s−1時，二硫化鉬和二硫化鎢的外量子效率分別達到了0.02%和0.78%。這一成果為高性能二維LED的設計提供了新思路，為二維材料在光電領域的應用奠定了基礎。
研究亮點
1) 實驗首次將氧等離子體插層應用于少層過渡金屬二硫屬化合物（TMDs），成功制備了類似量子阱的超晶格結構。此方法在少層二硫化鉬（MoS?）和二硫化鎢（WS?）中實現了層間剝離，形成了若干準單層的堆疊。
2) 實驗通過氧等離子體插層，減少了激子玻爾半徑和激子擴散系數，從而顯著抑制了激子-激子湮滅（EEA）現象。光譜測量顯示，插層后的少層TMDs在光激發和電注入發光下，在高激子密度（約1020 cm?² s?¹）下不出現效率下降。
3) 實驗結果表明，基于插層的MoS?和WS?的LED在較高生成率下仍可保持較高的外量子效率（EQE），分別達到0.02%和0.78%。這些LED在高電流密度下無效率下降，表明其具有優異的抗EEA特性。
