10月24日，德州儀器（TI）宣布，其位于日本會(huì)津的工廠已開始生產(chǎn)基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體。隨著會(huì)津工廠的投產(chǎn)，加上德州達(dá)拉斯現(xiàn)有的氮化鎵生產(chǎn)基地，德州儀器內(nèi)部氮化鎵功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能將增加四倍。
德州儀器技術(shù)和制造高級(jí)副總裁Mohammad Yunus表示：“德州儀器已成功認(rèn)證了8英寸（200mm）氮化鎵技術(shù)，并開始在日本會(huì)津工廠進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。到2030年，德州儀器內(nèi)部氮化鎵制造率將增長到95%以上，同時(shí)還可以從多個(gè)德州儀器工廠采購，確保公司整個(gè)氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的供應(yīng)。”德州儀器指出，氮化鎵作為硅的替代材料，在能效、開關(guān)速度、電源解決方案的尺寸和重量、整體系統(tǒng)成本以及高溫高壓條件下的性能等方面都具有優(yōu)勢(shì)。德州儀器依托新氮化鎵制造技術(shù)，正將氮化鎵芯片的拓展至更高的電壓——從900V開始并逐步提升至更高壓。此外，德州儀器擴(kuò)展投資還包括今年早些時(shí)候在12英寸（300mm）晶圓上成功開發(fā)氮化鎵制造工藝的試點(diǎn)。進(jìn)一步來說，德州儀器擴(kuò)大的氮化鎵制造工藝完全可轉(zhuǎn)移到12英寸技術(shù)，使公司能夠隨時(shí)根據(jù)客戶需求進(jìn)行擴(kuò)展，并在未來轉(zhuǎn)向12英寸。值得一提的是，在12英寸氮化鎵方面，除了德州儀器，英飛凌今年9月就已宣布開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。
據(jù)悉，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。英飛凌表示，因?yàn)榈壓凸璧闹圃旃に嚪浅Ｏ嗨疲?2英寸氮化鎵技術(shù)的一大優(yōu)勢(shì)是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備。后續(xù)，英飛凌將根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)一步擴(kuò)大GaN產(chǎn)能。