山西轉型綜合改革示范區再傳喜訊，爍科晶體SiC二期項目已順利通過竣工驗收，標志著該項目正式投產。這一里程碑事件不僅為當地經濟發展注入新動力，也為中國電科（山西）碳化硅材料產業基地的產能擴張和技術創新奠定了堅實基礎。

爍科晶體SiC二期項目位于山西轉型綜合改革示范區瀟河產業園太原起步區（北區），是該地區重點推進的高科技項目之一。該項目在2023年8月完成備案，同年10月提交建設申請，并迅速在2023年9月開始建設，11月主體封頂。經過緊張而有序的施工，項目于2024年3月進入機電與設備安裝階段，并計劃于同年4月開始試運行。如今，項目已圓滿完成驗收，正式宣告投產。

二期項目的建成，預計將為爍科晶體帶來每年新增20萬片6-8英寸碳化硅襯底的產能，其中包括N型碳化硅單晶襯底20萬片/年、高純襯底2.5萬片/年、莫桑晶體1.3噸/年。這一產能的擴張，不僅滿足了市場對高性能半導體材料的迫切需求，也進一步鞏固了爍科晶體在碳化硅材料領域的領先地位。在技術創新方面，二期項目采用了先進的自組裝單層技術，優化了碳化硅晶體生長過程，提高了晶體質量。此外，項目還引入了新的生產設備和工藝，進一步提升了生產效率和產品性能。